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BS 9364 N017:1979-01-15

Titel (deutsch): n-p-n-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme (Langleitungstyp). Detailspezifikation. 65 V, planar-epitaxial, umgebungsbezogen, hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau

Produktabbildung - BS 9364 N017:1979-01-15
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Titel (englisch): Detail specification for low power silicon n-p-n switching transistors. 65 V, planar epitaxial, ambient rated, hermetic encapsulation (long lead version). Full plus additional assessment level

Dokumentart: Norm

Ausgabedatum: 1979-01-15

Sprachen: Englisch

 

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