Navigation

Suche

http://www.beuth.de/cmd?workflowname=suggest&field=frei&languageid=de&query=

Hauptnavigation

Warenkorb

  
Norm

BS IEC 60747-9:2007-11-30

Titel (deutsch): Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)

Produktabbildung - BS IEC 60747-9:2007-11-30
  Download Versand Abo **
Sprache: Englisch
PDF

** Erfahren Sie  hier mehr zu Abonnements-Lösungen für Normen

Titel (englisch): Semiconductor devices - Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)

Dokumentart: Norm

Ausgabedatum: 2007-11-30

Sprachen: Englisch

 

Kunden, die diesen Artikel gekauft haben, kauften auch:

  • Produktabbildung - DIN EN 62047-12:2012-06
    Norm

    DIN EN 62047-12:2012-06

    Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 12: Verfahren zur Prüfung der Biege-Ermüdungsfestigkeit von Dünnschichtwerkstoffen unter Verwendung der Resonanzschwingungen bei MEMS-Strukturen (IEC 62047-12:2011); Deutsche Fassung EN 62047-12:2011

Informationen

 

Suchen Sie auch nach folgenden Begriffen