| Dokument-Nr: | | Titel |
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| DIN 1715-1 | | Thermobimetalle; Technische Lieferbedingungen |
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| DIN 1715-2 | | Thermobimetalle; Prüfung der spezifischen thermischen Krümmung |
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| DIN 50451-1 | | Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 1: Silber (Ag), Gold (Au), Calcium (Ca), Kupfer (Cu), Eisen (Fe), Kalium (K) und Natrium (Na) in Salpetersäure mittels AAS |
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| DIN 50451-2 | | Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 2: Calcium (Ca), Cobalt (Co), Chrom (Cr), Kupfer (Cu), Eisen (Fe), Nickel (Ni) und Zink (Zn) in Flusssäure mittels Plasma-angeregter Emissionsspektrometrie |
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| DIN 50451-3 | | Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 3: Aluminium (Al), Cobalt (Co), Kupfer (Cu), Natrium (Na), Nickel (Ni) und Zink (Zn) in Salpetersäure mittels ICP-MS |
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| DIN 50451-4 | | Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 4: Bestimmung von 34 Elementen in hochreinem Wasser durch Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-MS) |
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| DIN 50451-5 | | Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten - Teil 5: Leitlinie zur Auswahl von Werkstoffen und Prüfung ihrer Eignung für Geräte zur Probenahme und Probenvorbereitung für die Elementspuren-Bestimmung im Bereich von Mikrogramm je Kilogramm und Nanogramm je Kilogramm |
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| DIN 50452-1 | | Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Verfahren zur Teilchenanalytik in Flüssigkeiten - Teil 1: Mikroskopische Teilchenbestimmung |
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| DIN 50452-2 | | Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Verfahren zur Teilchenanalytik in Flüssigkeiten - Teil 2: Teilchenbestimmung mit optischen Durchflusspartikelzählern |
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| DIN 50452-3 | | Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Verfahren zur Teilchenanalytik in Flüssigkeiten - Teil 3: Kalibrierung von optischen Durchflußpartikelzählern |
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| DIN 50453-1 | | Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie; Bestimmung der Ätzraten von Ätzmischungen; Silicium-Einkristalle; Gravimetrisches Verfahren |
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| DIN 50453-2 | | Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie; Bestimmung der Ätzrate von Ätzmischungen; Siliciumdioxid-Schichten; Optisches Verfahren |
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| DIN 50455-1 | | Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Verfahren zur Charakterisierung von Fotolacken - Teil 1: Bestimmung der Schichtdicke mit optischen Messverfahren |
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| DIN 50455-2 | | Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Verfahren zur Charakterisierung von Fotolacken - Teil 2: Bestimmung der Lichtempfindlichkeit von Positiv-Fotolacken |
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| DIN 50456-3 | | Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Verfahren zur Charakterisierung von Umhüllungspreßmassen für elektronische Bauelemente - Teil 3: Bestimmung von kationischen Verunreinigungen |
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| VDI/VDE 3717 Blatt 1 | | Maskentechnik; Einführung, Begriffe und Definitionen |
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| VDI/VDE 3717 Blatt 2 | | Maskentechnik; Substrate |
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| VDI/VDE 3717 Blatt 3 | | Maskentechnik; Schichten |
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| VDI/VDE 3717 Blatt 4 | | Maskentechnik - Strukturen |
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| VDI/VDE 3717 Blatt 5 | | Maskentechnik; Blank-Defekte |
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| VDI/VDE 3717 Blatt 6 | | Maskentechnik - Pellicles |
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| VDI/VDE 3717 Blatt 10 | | Maskentechnik; Maskentechnik für die Integrierte Optik |
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| ASTM F 615M | | Bestimmung der sicheren Stromimpulsbetriebsbereiche für das Metallisieren von Halbleiterbauelementen, metrisch |
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| OEVE/OENORM EN 60146-1-1 | | Halbleiter-Stromrichter - Allgemeine Anforderungen und netzgeführte Stromrichter - Teil 1-1: Festlegung der Grundanforderungen (IEC 60146-1-1:2009) |
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