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Halbleiterbauelemente (ICS-Sachgruppe 31.080)

Dokument-Nr:   Titel
DIN EN 60749-7   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 7: Messung des inneren Feuchtegehaltes und Analyse von anderen Restgasen (IEC 60749-7:2011); Deutsche Fassung EN 60749-7:2011
DIN EN 60749-21   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 21: Lötbarkeit (IEC 60749-21:2011); Deutsche Fassung EN 60749-21:2011
DIN EN 60749-29   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 29: Latch-up-Prüfung (IEC 60749-29:2011); Deutsche Fassung EN 60749-29:2011
DIN EN 60749-30   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 30: Behandlung nicht hermetisch verkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente vor Zuverlässigkeitsprüfungen (IEC 60749-30:2005 + A1:2011); Deutsche Fassung EN 60749-30:2005 + A1:2011
DIN EN 60749-40   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 40: Prüfverfahren zum Fall einer Leiterplatte unter Verwendung von Dehnungsmessstreifen (IEC 60749-40:2011); Deutsche Fassung EN 60749-40:2011
DIN EN 61954   Statische Blindleistungskompensatoren (SVC) - Prüfung von Thyristorventilen (IEC 61954:2011); Deutsche Fassung EN 61954:2011
DIN EN 62047-5   Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 5: Hochfrequenz-MEMS-Schalter (IEC 62047-5:2011); Deutsche Fassung EN 62047-5:2011
DIN EN 62047-7   Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 7: BAW-MEMS-Filter und -Duplexer zur Hochfrequenz-Regelung und -Auswahl (IEC 62047-7:2011); Deutsche Fassung EN 62047-7:2011
DIN EN 62047-8   Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 8: Streifen-Biege-Prüfverfahren zur Messung von Zugbeanspruchungsmerkmalen dünner Schichten (IEC 62047-8:2011); Deutsche Fassung EN 62047-8:2011
DIN EN 62047-9   Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 9: Prüfverfahren zur Festigkeit von Full-Wafer-Bondverbindungen in der Mikrosystemtechnik (MEMS) (IEC 62047-9:2011); Deutsche Fassung EN 62047-9:2011
DIN EN 62047-10   Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 10: Druckprüfverfahren an zylinderförmigen Mikroproben für Werkstoffe der Mikrosystemtechnik (IEC 62047-10:2011); Deutsche Fassung EN 62047-10:2011
DIN EN 62258-2   Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 2: Datenaustausch-Formate (IEC 62258-2:2011); Englische Fassung EN 62258-2:2011
OEVE/OENORM EN 60191-6-12   Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 6-12: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Gehäusezeichnungen von SMD-Halbleitergehäusen - Konstruktionsleitfaden für Feinraster-Land-Grid-Array (FLGA) (IEC 60191-6-12:2011) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 60747-5-5   Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 5-5: Optoelektronische Bauelemente - Optokoppler (IEC 60747-5-5:2007) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 60749-30   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 30: Behandlung nicht hermetisch verkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente vor Zuverlässigkeitsprüfungen (IEC 60749-30:2005 + A1:2011) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 62047-8   Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 8: Streifen-Biege-Prüfverfahren zur Messung von Zugbeanspruchungsmerkmalen dünner Schichten (IEC 62047-8:2011) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 62258-2   Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 2: Datenaustausch-Formate (IEC 62258-2:2011)
UL 1557   Elektrisch getrennte Halbleiterbauelemente
DIN 4000-18   Sachmerkmal-Leisten für Halbleiter-Dioden
DIN 4000-19   Sachmerkmal-Leisten für Transistoren und Thyristoren
DIN EN 60204-33   Sicherheit von Maschinen - Elektrische Ausrüstungen von Maschinen - Teil 33: Anforderungen an Fertigungseinrichtungen für Halbleiter (IEC 60204-33:2009, modifiziert); Deutsche Fassung EN 60204-33:2011
DIN EN 60617-5   Graphische Symbole für Schaltpläne - Teil 5: Schaltzeichen für Halbleiter und Elektronenröhren (IEC 60617-5:1996); Deutsche Fassung EN 60617-5:1996
DIN EN 60700-1   Thyristorventile für Hochspannungsgleichstrom-Energieübertragung (HGÜ) - Teil 1: Elektrische Prüfung (IEC 60700-1:1998 + A1:2003 + A2:2008); Deutsche Fassung EN 60700-1:1998 + A1:2003 + A2:2008
DIN EN 60747-3   Halbleiterbauelemente - Teil 3: Signaldioden (einschließlich Schaltdioden) und Stabilisatordioden (IEC 47E/395/CD:2010)
DIN EN 60747-15   Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 15: Isolierte Leistungshalbleiter (IEC 60747-15:2003); Deutsche Fassung EN 60747-15:2004
DIN EN 60747-16-1   Halbleiterbauelemente - Teil 16-1: Integrierte Mikrowellen-Verstärker (IEC 60747-16-1:2001 + A1:2007); Deutsche Fassung EN 60747-16-1:2002 + A1:2007
DIN EN 60747-16-4   Halbleiterbauelemente - Teil 16-4: Integrierte Mikrowellenschaltkreise - Schalter (IEC 60747-16-4:2004 + A1:2009); Deutsche Fassung EN 60747-16-4:2004 + A1:2011
DIN EN 60749-1   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 1: Allgemeines (IEC 60749-1:2002 + Corr. 1:2003); Deutsche Fassung EN 60749-1:2003
DIN EN 60749-2   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 2: Niedriger Luftdruck (IEC 60749-2:2002); Deutsche Fassung EN 60749-2:2002
DIN EN 60749-3   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 3: Äußere Sichtprüfung (IEC 60749-3:2002); Deutsche Fassung EN 60749-3:2002
DIN EN 60749-4   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 4: Feuchte Wärme, konstant, Prüfung mit hochbeschleunigter Wirkung (HAST) (IEC 60749-4:2002); Deutsche Fassung EN 60749-4:2002
DIN EN 60749-5   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 5: Lebensdauerprüfung bei konstanter Temperatur und Feuchte unter elektrischer Beanspruchung (IEC 60749-5:2003); Deutsche Fassung EN 60749-5:2003
DIN EN 60749-6   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 6: Lagerung bei hoher Temperatur (IEC 60749-6:2002); Deutsche Fassung EN 60749-6:2003
DIN EN 60749-8   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 8: Dichtheit (IEC 60749-8:2002 + Corr. 1:2003 + Corr. 2:2003); Deutsche Fassung EN 60749-8:2003
DIN EN 60749-9   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 9: Beständigkeit der Kennzeichnung (IEC 60749-9:2002); Deutsche Fassung EN 60749-9:2002
DIN EN 60749-10   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 10: Mechanisches Schocken (IEC 60749-10:2002); Deutsche Fassung EN 60749-10:2002
DIN EN 60749-11   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 11: Rascher Temperaturwechsel; Zweibäderverfahren (IEC 60749-11:2002); Deutsche Fassung EN 60749-11:2002
DIN EN 60749-12   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 12: Schwingen, variable Frequenz (IEC 60749-12:2002); Deutsche Fassung EN 60749-12:2002
DIN EN 60749-13   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 13: Salzatmosphäre (IEC 60749-13:2002); Deutsche Fassung EN 60749-13:2002
DIN EN 60749-14   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 14: Festigkeit der Bauelementeanschlüsse (Unversehrtheit der Anschlüsse) (IEC 60749-14:2003); Deutsche Fassung EN 60749-14:2003
DIN EN 60749-15   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 15: Beständigkeit gegen Löttemperatur bei Bauelementen zur Durchsteckmontage (IEC 60749-15:2010); Deutsche Fassung EN 60749-15:2010 + AC:2011
DIN EN 60749-16   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 16: Nachweis des Teilchen-Aufprallgeräusches (PIND) (IEC 60749-16:2003); Deutsche Fassung EN 60749-16:2003
DIN EN 60749-17   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 17: Neutronenbestrahlung (IEC 60749-17:2003); Deutsche Fassung EN 60749-17:2003
DIN EN 60749-18   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 18: Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis) (IEC 60749-18:2002); Deutsche Fassung EN 60749-18:2003
DIN EN 60749-19   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit (IEC 60749-19:2003 + A1:2010); Deutsche Fassung EN 60749-19:2003 + A1:2010
DIN EN 60749-20   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20: Beständigkeit kunststoffverkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente (SMD) gegenüber der kombinierten Beanspruchung von Feuchte und Lötwärme (IEC 60749-20:2008); Deutsche Fassung EN 60749-20:2009
DIN EN 60749-20-1   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20-1: Handhabung, Verpackung, Kennzeichnung und Transport oberflächenmontierbarer Bauelemente, die empfindlich gegen die Kombination von Feuchte und Lötwärme sind (IEC 60749-20-1:2009); Deutsche Fassung EN 60749-20-1:2009
DIN EN 60749-22   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 22: Kontaktfestigkeit (Bond-Strength) (IEC 60749-22:2002 + Corr. 1:2003); Deutsche Fassung EN 60749-22:2003
DIN EN 60749-23   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 23: Lebensdauer bei hoher Temperatur (IEC 60749-23:2004 + A1:2011); Deutsche Fassung EN 60749-23:2004 + A1:2011
DIN EN 60749-24   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 24: Beschleunigte Verfahren für Feuchtebeständigkeit - Hochbeschleunigte Wirkung (HAST) ohne elektrische Beanspruchung (IEC 60749-24:2004); Deutsche Fassung EN 60749-24:2004
DIN EN 60749-25   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 25: Zyklische Temperaturwechsel (IEC 60749-25:2003); Deutsche Fassung EN 60749-25:2003
DIN EN 60749-27/A1   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Machine Model (MM) (IEC 47/2107/CDV:2011); Deutsche Fassung EN 60749-27:2006/FprA1:2011
DIN EN 60749-31   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 31: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Selbstentzündung) (IEC 60749-31:2002 + Corr. 1:2003); Deutsche Fassung EN 60749-31:2003
DIN EN 60749-32   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Fremdentzündung) (IEC 60749-32:2002 + Cor. :2003 + A1:2010); Deutsche Fassung EN 60749-32:2003 + Cor. :2003 + A1:2010
DIN EN 60749-33   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 33: Beschleunigte Verfahren für Feuchtebeständigkeit - Autoclave ohne elektrische Beanspruchung (IEC 60749-33:2004); Deutsche Fassung EN 60749-33:2004
DIN EN 60749-34   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 34: Lastwechselprüfung (IEC 60749-34:2010); Deutsche Fassung EN 60749-34:2010
DIN EN 60749-35   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 35: Ultraschallmikroskopie für kunststoffverkappte Bauelemente der Elektronik (IEC 60749-35:2006); Deutsche Fassung EN 60749-35:2006
DIN EN 60749-36   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 36: Gleichmäßiges Beschleunigen (IEC 60749-36:2003); Deutsche Fassung EN 60749-36:2003
DIN EN 60749-37   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 37: Prüfverfahren Fall der Leiterplatte unter Verwendung eines Beschleunigungs-Messgerätes (IEC 60749-37:2008); Deutsche Fassung EN 60749-37:2008
DIN EN 60749-38   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher (IEC 60749-38:2008); Deutsche Fassung EN 60749-38:2008
DIN EN 61643-321   Bauelemente für Überspannungsschutzgeräte für Niederspannung - Teil 321: Festlegungen für Avalanche-Dioden (ABD) (IEC 61643-321:2001); Deutsche Fassung EN 61643-321:2002
DIN EN 61643-341   Bauelemente für Überspannungsschutzgeräte für Niederspannung - Teil 341: Festlegungen für Suppressordioden (TSS) (IEC 61643-341:2001); Deutsche Fassung EN 61643-341:2001
DIN EN 61954-100   Statische Blindleistungskompensatoren (SVC) - Prüfung von Thyristorventilen (IEC 22F/251/CD:2011)
DIN EN 61975   Anlagen zur Hochspannungsgleichstromübertragung (HGÜ) - Systemprüfungen (IEC 61975:2010); Deutsche Fassung EN 61975:2010
DIN EN 62047-1   Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 1: Begriffe und Definitionen (IEC 62047-1:2005); Deutsche Fassung EN 62047-1:2006
DIN EN 62047-2   Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 2: Prüfverfahren zur Zugbeanspruchung bei Dünnschicht-Werkstoffen (IEC 62047-2:2006); Deutsche Fassung EN 62047-2:2006
DIN EN 62047-3   Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 3: Dünnschicht-Standardmikroprobe für die Prüfung der Zugbeanspruchung (IEC 62047-3:2006); Deutsche Fassung EN 62047-3:2006
DIN EN 62047-4   Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 4: Fachgrundspezifikation für Mikrosystemtechnik (IEC 62047-4:2008); Deutsche Fassung EN 62047-4:2010
DIN EN 62047-6   Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 6: Prüfverfahren zur uniaxialen Dauerschwingfestigkeit von Dünnschicht-Werkstoffen (IEC 62047-6:2009); Deutsche Fassung EN 62047-6:2010
DIN EN 62047-14   Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 14: Verfahren zur Ermittlung der Grenzformänderung metallischer Dünnschichtwerkstoffe (IEC 47F/59/CD:2010)
DIN EN 62047-17   Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 17: Wölbungs-Prüfverfahren zur Bestimmung mechanischer Eigenschaften dünner Schichten (IEC 47F/78/CD:2011)
DIN EN 62047-18   Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtwerkstoffe (IEC 47F/76/CD:2011)
DIN EN 62258-1   Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 1: Beschaffung und Anwendung (IEC 62258-1:2009); Deutsche Fassung EN 62258-1:2010
DIN EN 62373   Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62373:2006); Deutsche Fassung EN 62373:2006
DIN EN 62374   Halbleiterbauelemente - Prüfung des zeitabhängigen dielektrischen Durchbruchs (TDDB) für dielektrische Gate-Schichten (IEC 62374:2007); Deutsche Fassung EN 62374:2007
DIN EN 62374-1   Halbleiterbauelemente - Teil 1: Prüfung auf zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB) bei Isolationsschichten zwischen metallischen Leiterbahnen (IEC 62374-1:2010); Deutsche Fassung EN 62374-1:2010 + AC:2011
DIN EN 62415   Halbleiterbauelemente - Konstantstrom-Prüfverfahren zur Elektromigration (IEC 62415:2010); Deutsche Fassung EN 62415:2010
DIN EN 62416   Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren (IEC 62416:2010); Deutsche Fassung EN 62416:2010
DIN EN 62418   Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren zur Metallisierungs-Stressmigration (IEC 62418:2010); Deutsche Fassung EN 62418:2010
DIN EN 62477-1   Sicherheitsanforderungen an Leistungshalbleiter-Umrichtersysteme - Teil 1: Allgemeines (IEC 22/168/CDV:2010); Deutsche Fassung FprEN 62477-1:2010
DIN EN 120003   Vordruck für Bauartspezifikation - Phototransistoren, Photo-Darlington-Transistoren, Phototransistorzeilen; Deutsche Fassung EN 120003:1992
DIN EN 153000   Fachgrundspezifikation: Druckkontakt-Einzel-Leistungshalbleiterelemente (Befähigungsanerkennung); Deutsche Fassung EN 153000:1998
DIN IEC 60115-2   Festwiderstände zur Verwendung in Geräten der Elektronik - Teil 2: Rahmenspezifikation - Niedrig belastbare nichtdrahtgewickelte Festwiderstände (IEC 40/2013/CD:2009)
DIN IEC 60747-2   Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente und Integrierte Schaltungen - Teil 2: Gleichrichtdioden (IEC 60747-2:2000)
DIN IEC 60747-3   Halbleiterbauelemente; Einzel-Halbleiterbauelemente; Teil 3: Signaldioden und Stabilisatordioden; Identisch mit IEC 60747-3:1985
DIN IEC 60747-4   Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 4: Mikrowellendioden und -transistoren (IEC 47E/265/CD:2004)
DIN IEC 60747-7   Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 7: Bipolartransistoren (IEC 47E/324/CD:2007)
DIN IEC 60747-8   Halbleiterbauelemente - Einzelhalbleiterbauelemente - Teil 8: Feldeffekttransistoren (IEC 47E/320/CD:2007)
DIN IEC 60747-11   Halbleiterbauelemente; Rahmenspezifikation für Einzel-Halbleiterbauelemente; Identisch mit IEC 60747-11:1985
DIN IEC 60747-14-4   Diskrete Halbleiterbauelemente - Teil 14-4: Halbleiter-Beschleunigungsaufnehmer (IEC 47E/220/CD:2002)
DIN IEC 60747-14-5   Halbleiterbauelemente - Teil 14-5: Halbleitersensoren - Halbleiter-Temperatursensoren mit PN-Übergang (IEC 47E/353/CD:2007)
DIN IEC 60747-15   Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 15: Isolierte Leistungshalbleiter (IEC 47E/322/CD:2007)
DIN IEC 60747-16-5   Halbleiterbauelemente - Teil 16-5: Integrierte Mikrowellenschaltkreise - Oszillatoren (IEC 47E/374/CD:2008)
DIN IEC 60749-26   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Human Body Model (HBM) - Bauelementeniveau (IEC 47/2101A/CDV:2011)
DIN IEC 62047-11   Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 11: Prüfverfahren für lineare thermische Ausdehnungskoeffizienten für Werkstoffe der Mikrosystemtechnik (IEC 47F/49/CD:2010)
DIN IEC 62047-12   Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 12: Verfahren zur Prüfung der Ermüdungsfestigkeit von Dünnschichtwerkstoffen unter Verwendung der Resonanzschwingungen bei MEMS-Strukturen (IEC 47F/43/CD:2010)
DIN IEC 62047-13   Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 13: Biege- und Scherprüfverfahren zur Messung der Haftfestigkeit mikromechanischer Strukturen (IEC 47F/44/CD:2010)
DIN V VDE V 0884-10   Halbleiterbauelemente - Magnetische und kapazitive Koppler für sichere Trennung
DIN V VDE V 0884-10 Berichtigung 1   Halbleiterbauelemente - Magnetische und kapazitive Koppler für sichere Trennung; Berichtigungen zu DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12
ISO/TTA 4   Messung der Wärmeleitfähigkeit von dünnen Schichten auf Siliciumsubstraten
ASTM E 427   Dichtheitsprüfung mit Halogen-Lecksuchgerät (Diode mit Alkali-Ion)
ASTM E 431   Leitfaden über die Auswertung von Durchstrahlungsbildern von Halbleitern und ähnlichen Bauelementen
ASTM F 1190   Neutronendurchstrahlung vorspannungsfreier Elektronikbauteile
SN EN 60700-1+A1+A2   Thyristorventile für Hochspannungsgleichstrom-Energieübertragung (HGÜ) - Teil 1: Elektrische Prüfung
SN EN 60747-15   Einzel-Halbleiterbauelemente. Teil 15: Isolierte Leistungshalbleiter
SN EN 60747-16-1+A1   Halbleiterbauelemente - Teil 16-1: Integrierte Mikrowellen-Verstärker
SN EN 60747-16-4+A1   Halbleiterbauelemente - Teil 16-4: Integrierte Mikrowellenschaltkreise - Schalter
SN EN 60749-14   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren. Teil 14: Festigkeit der Bauelementeanschlüsse (Unversehrtheit der Anschlüsse)
SN EN 60749-15   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 15: Beständigkeit gegen Löttemperatur bei Bauelementen zur Durchsteckmontage
SN EN 60749-19   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren. Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit
SN EN 60749-20   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20: Beständigkeit kunststoffverkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente (SMD) gegenüber der kombinierten Beanspruchung von Feuchte und Lötwärme
SN EN 60749-20-1   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20-1: Handhabung, Verpackung, Kennzeichnung und Transport oberflächenmontierbarer Bauelemente, die empfindlich gegen die Kombination von Feuchte und Lötwärme sind
SN EN 60749-21   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren. Teil 21: Lötbarkeit
SN EN 60749-23+A1   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 23: Lebensdauer bei hoher Temperatur
SN EN 60749-24   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren. Teil 24: Beschleunigte Verfahren für Feuchtebeständigkeit - Hochbeschleunigte Wirkung (HAST) ohne elektrische Beanspruchung
SN EN 60749-25   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 25: Zyklische Temperaturwechsel (IEC 60749-25:2003)
SN EN 60749-26   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren. Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Human Body Model (HBM)
SN EN 60749-27   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren. Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Machine Model (MM)
SN EN 60749-29   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren. Teil 29: Latch-up-Prüfung
SN EN 60749-30+A1   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 30: Behandlung nicht hermetisch verkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente vor Zuverlässigkeitsprüfungen
SN EN 60749-32+A1   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Fremdentzündung)
SN EN 60749-33   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren. Teil 33: Beschleunigte Verfahren für Feuchtebeständigkeit - Autoclave ohne elektrische Beanspruchung
SN EN 60749-34   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 34: Lastwechselprüfung
SN EN 60749-35   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren. Teil 35: Ultraschallmikroskopie für kunststoffverkappte Bauelemente der Elektronik
SN EN 61051-1   Varistoren zur Verwendung in Geräten der Elektronik - Teil 1: Fachgrundspezifikation
SN EN 61643-321   Bauelemente für Überspannungsschutzgeräte für Niederspannung. Teil 321: Festlegungen für Avalanche-Dioden (ABD)
SN EN 61954+A1   Leistungselektronik für Übertragungs- und Verteilungsnetze - Prüfung von Thyristorventilen für statische Blindleistungskompensatoren
SN EN 61975   Anlagen zur Hochspannungsgleichstromübertragung (HGÜ) - Systemprüfungen
SN EN 62047-1   Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 1: Begriffe und Definitionen (IEC 62047-1:2005)
SN EN 62047-2   Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik. Teil 2: Prüfverfahren zur Zugbeanspruchung bei Dünnschicht-Werkstoffen
SN EN 62047-3   Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik. Teil 3: Dünnschicht-Standardmikroprobe für die Prüfung der Zugbeanspruchung
SN EN 62047-4   Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 4: Fachgrundspezifikation für Mikrosystemtechnik
SN EN 62047-6   Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 6: Prüfverfahren zur uniaxialen Dauerschwingfestigkeit von Dünnschicht- Werkstoffen
SN EN 62373   Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62373:2006)
SN EN 62374   Halbleiterbauelemente - Prüfung des zeitabhängigen dielektrischen Durchbruchs (TDDB) für dielektrische Gate-Schichten
SN EN 62374-1   Halbleiterbauelemente - Teil 1: Prüfung auf zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB) bei Isolationsschichten zwischen metallischen Leiterbahnen
SN EN 62415   Halbleiterbauelemente - Konstantstrom-Prüfverfahren zur Elektromigration
SN EN 62416   Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren
SN EN 62418   Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren zur Metallisierungs-Stressmigration
SN EN 150014   Vordruck für Bauartspezifikation: Thyristor-Dioden, Überspannungs-Begrenzer
SN EN 153000   Fachgrundspezifikation: Druckkontakt-Einzel-Leistungshalbleiterelemente (Befähigungsanerkennung)
SN ES 59001   Anerkennungsverfahren - Elektronische Bauelemente für den Einsatz in Kraftfahrzeugen - Qualifikationsprüfung (Streßtest) für Halbleiter
BS 6493-1.3   Halbleiter-Bauelemente. Einzelhalbleiter. Empfehlungen fuer Signal- (einschliesslich Schalt-) und Steuerdioden
BS 9300 C199-276   Silizium-Stabilisatordioden. Detailspezifikation
BS 9300 C377-378   Silizium-Koaxialmischdioden. Detailspezifikation
BS 9300 C379-388   Stiftmontierte Silizium-Leistungsgleichrichterdioden. Detailspezifikation
BS 9300 C405-429   Silizium-Stabilisatordioden. Detailspezifikation
BS 9300 C476   Silizium-Lawinengleichrichterdioden. Detailspezifikation
BS 9300 C534   Silizium-Koaxialwiderstandsschaltdioden. Detailspezifikation
BS 9300 C582-584   Rueckwaerts sperrende Thyristortriode. Detailspezifikation
BS 9300 C599   Stabmontierte Silizium-Mikrowellenschaltdioden. Detailspezifikation
BS 9300 C667-668   Silizium-Lawinengleichrichterdioden. Detailspezifikation
BS 9300 C678-721   Silizium-Stabilisatordioden. Detailspezifikation
BS 9300 C762   Mischdioden fuer den Einsatz auf X-Bandfrequenzen. Detailspezifikation
BS 9300 C771-772   Koaxialmischdioden. Detailspezifikation
BS 9300 C776-777   Germanium-Koaxialmischdioden. Detailspezifikation
BS 9300 C778   Angepasste Germanium-Koaxialmischdioden. Detailspezifikation
BS 9300 C780-831   Silizium-Stabilisatordioden. Detailspezifikation
BS 9300 C841-849   Silizium-Stabilisatordioden. Detailspezifikation
BS 9301 N002   Silizium-Signaldioden fuer den allgemeinen Gebrauch. Detailspezifikation. 150 mA, 150 V, hermetisch verschmolzene Glaskapselung. Universalkategorie Q
BS 9305 N001   Silizium-Stabilisatordioden. Detailspezifikation. 1,5 W, 3,3 bis 33 V (5%), hermetisch abgedichtet. Universalkategorie Q
BS 9305 N041   Silizium-Stabilisatordioden. Detailspezifikation. 400 mW, 2,7 bis 33 V (5%), hermetisch verschmolzene Glaskapselung. Universalkategorie Q
BS 9305 N042   Silizium-Stabilisatordioden. Detailspezifikation. 1,5 W, 6,8 bis 200 V (5%), hermetisch abgedichtet. Universalkategorie C
BS 9305 N044   Silizium-Stabilisatordioden. Detailspezifikation. 1,0 W, 3,3 bis 33 V (5%), hermetisch abgedichtet. Volles Guetebestaetigungsniveau
BS 9364 N007 and N009   n-p-n-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme. Detailspezifikation. 20 V, planar-epitaxial, umgebungsbezogen, hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau
BS 9364 N008 and N010   n-p-n-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme (Langleitungstyp). Detailspezifikation. 20 V, planar-epitaxial, umgebungsbezogen, hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau
BS 9364 N011   p-n-p-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme. Detailspezifikation. 65 V, planar-epitaxial, umgebungsbezogen, hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau
BS 9364 N012   p-n-p-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme (Langleitungstyp). Detailspezifikation. 65 V, planar-epitaxial, umgebungsbezogen, hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau
BS 9364 N013   p-n-p-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme. Detailspezifikation. 25 V, planar-epitaxial, umgebungsbezogen, hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau
BS 9364 N016   n-p-n-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme. Detailspezifikation. 65 V, planar-epitaxial, umgebungsbezogen, hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau
BS 9364 N017   n-p-n-Silizium-Schalttransistoren mit geringer Leistungsaufnahme (Langleitungstyp). Detailspezifikation. 65 V, planar-epitaxial, umgebungsbezogen, hermetisch abgedichtet. Volles und zusaetzliches Guetebestaetigungsniveau
BS CECC 50000   Harmonisiertes Guetebestaetigungssystem fuer Bauelemente der Elektronik. Fachgrundspezifikation: Einzelhalbleiterbauelemente
BS CECC 50000 Supplement No. 1   Harmonisiertes Guetebestaetigungssystem fuer Bauelemente der Elektronik. Fachgrundspezifikation: Einzel Halbleiterbauelemente. CECC-bestaetigte mittlere Fertigungsqualitaet
BS EN 60204-33   Sicherheit von Maschinen. Elektrische Ausrüstungen von Maschinen. Anforderungen an Fertigungsausrüstungen für Halbleiter
BS EN 60700-1+A2   Thyristorventile für Hochspannungsgleichstrom-Energieübertragung. Elektrische Prüfung
BS IEC 60747-2   Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltungen - Gleichrichterdioden
BS IEC 60747-4   Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Mikrowellendioden und-transistoren
BS IEC 60747-4-1   Mikrowellendioden und Transistoren. Mikrowellenfeldeffekt Transistoren. Bauartspezifikation
BS IEC 60747-4-2   Halbleiterbauelemente. Einzel-Halbleiterbauelemente. Mikrowellen-Dioden und -Transistoren. Schaltkreis-Mikrowellenverstaerker. Vordruck fuer Bauartspezifikation
BS IEC 60747-6   Halbleiterbauelemente - Thyristore
BS IEC 60747-8   Halbleiterbauelemente. Einzel-Halbleiterbauelemente. Feldeffekttransistoren
BS IEC 60747-9   Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs)
BS IEC 60747-14-2   Halbleiterbauelemente - Halbleiter-Sensoren - Hall-Elemente
BS IEC 60747-14-3   Halbleiterbauelemente - Halbleitersensoren - Drucksensoren
BS EN 60747-15   Einzel-Halbleiterbauelemente. Isolierte Leistungshalbleiter
BS EN 60747-16-1+A1   Halbleiterbauelemente - Integrierte Mikrowellen-Verstaerker
BS EN 60747-16-4+A1   Halbleiterbauelemente. Integrierte Mikrowellenschaltkreise. Schalter
BS EN 60749-1   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Pruefverfahren - Allgemeines
BS EN 60749-2   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Pruefverfahren - Niedriger Luftdruck
BS EN 60749-3   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Pruefverfahren - Aeussere Sichtpruefung
BS EN 60749-4   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Pruefverfahren - Feuchte Waerme, konstant, Pruefung mit hochbeschleunigter Wirkung (HAST)
BS EN 60749-5   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Pruefverfahren - Lebensdauerpruefung bei konstanter Temperatur und Feuchte unter elektrischer Beanspruchung
BS EN 60749-6   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Pruefverfahren Lagerung bei hoher Temperatur
BS EN 60749-7   Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfverfahren. Messung des inneren Feuchtegehaltes und Analyse von anderen Restgasen
BS EN 60749-8   Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Pruefverfahren. Dichtheit
BS EN 60749-9   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Pruefverfahren - Bestaendigkeit der Kennzeichnung
BS EN 60749-10   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Pruefverfahren - Mechanisches Schocken
BS EN 60749-11   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Pruefverfahren - Rascher Temperaturwechsel - Zweibaederverfahren
BS EN 60749-12   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Pruefverfahren - Schwingen, variable Frequenz
BS EN 60749-13   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Pruefverfahren - Salzatmosphaere
BS EN 60749-14   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Pruefverfahren - Festigkeit der Bauelementeanschluesse (Unversehrtheit der Anschluesse)
BS EN 60749-15   Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfverfahren. Beständigkeit gegen Löttemperatur bei Bauelementen zur Durchsteckmontage
BS EN 60749-16   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Pruefverfahren - Nachweis des Teilchen-Aufprallgeraeusches (PIND)
BS EN 60749-17   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Pruefverfahren - Neutronenbestrahlung
BS EN 60749-18   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Pruefverfahren Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis)
BS EN 60749-19+A1   Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfverfahren. Prüfung der Chip-Bondfestigkeit
BS EN 60749-20   Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfverfahren. Beständigkeit kunststoffverkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente (SMD) gegenüber der kombinierten Beanspruchung von Feuchte und Lötwärme
BS EN 60749-20-1   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Handhabung, Verpackung, Kennzeichnung und Transport oberflächenmontierbarer Bauelemente, die empfindlich gegen die Kombination von Feuchte und Lötwärme sind
BS EN 60749-21   Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfverfahren. Lötbarkeit
BS EN 60749-22   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Pruefverfahren - Kontaktfestigkeit (Bond strength)
BS EN 60749-23+A1   Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfverfahren. Lebensdauer bei hoher Temperatur
BS EN 60749-24   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Pruefverfahren - Beschleunigte Verfahren fuer Feuchtebestaendigkeit - Hochbeschleunigte Wirkung (HAST) ohne elektrische Beanspruchung
BS EN 60749-25   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Pruefverfahren - Zyklische Temperaturwechsel
BS EN 60749-26   Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Pruefverfahren. Pruefung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD). Human Body Model (HBM)
BS EN 60749-27   Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Pruefverfahren. Pruefung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD). Machine Model (MM)
BS EN 60749-29   Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfverfahren. Latch-up-Prüfung
BS EN 60749-30+A1   Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfverfahren. Behandlung nicht hermetisch verkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente vor Zuverlässigkeitsprüfungen
BS EN 60749-31   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Pruefverfahren - Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehaeusen (Selbstentzuendung)
BS EN 60749-32+A1   Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfverfahren. Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Selbstentzündung)
BS EN 60749-33   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Pruefverfahren - Beschleunigte Verfahren fuer Feuchtebestaendigkeit - Autoclave ohne elektrische Beanspruchung
BS EN 60749-34   Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfverfahren. Lastwechselprüfung
BS EN 60749-35   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Pruefverfahren - Ultraschallmikroskopie fuer kunststoffverkappte Bauelemente der Elektronik
BS EN 60749-36   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Pruefverfahren - Gleichmaessiges Beschleunigen
BS EN 60749-37   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Prüfverfahren Fall der Leiterplatte unter Verwendung eines Beschleunigungs-Messgerätes
BS EN 60749-38   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher
BS EN 60749-40   Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfverfahren. Prüfverfahren zum Fall einer Leiterplatte unter Verwendung von Dehnungsmessstreifen
BS EN 61051-1   Varistoren zur Verwendung in Geräten der Elektronik - Fachgrundspezifikation
BS EN 61643-321   Bauelemente fuer Ueberspannungs-schutzgeraete fuer Niederspannung - Festlegungen fuer Avalanche-Dioden (ABD)
BS EN 61954   Static VAR compensators (SVC). Testing of thyristor valves
BS EN 61975   Anlagen zur Hochspannungsgleichstromübertragung (HGÜ). Systemprüfungen
BS EN 62047-1   Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Begriffe und Definitionen
BS EN 62047-2   Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Pruefverfahren zur Zugbeanspruchung bei Duennschicht-Werkstoffen
BS EN 62047-3   Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Duennschicht-Standardmikroprobe fuer die Pruefung der Zugbeanspruchung
BS EN 62047-4   Halbleiterbauelemente. Bauteile der Mikrosystemtechnik. Fachgrundspezifikation für Mikrosystemtechnik
BS EN 62047-5   Halbleiterbauelemente. Bauelemente der Mikrosystemtechnik. Hochfrequenz-MEMS-Schalter
BS EN 62047-6   Halbleiterbauelemente. Bauelemente der Mikrosystemtechnik. Prüfverfahren zur uniaxialen Dauerschwingfestigkeit von Dünnschicht-Werkstoffen
BS EN 62047-7   Halbleiterbauelemente. Bauelemente der Mikrosystemtechnik. BAW-MEMS-Filter und -Duplexer zur Hochfrequenz-Regelung und -Auswahl
BS EN 62047-8   Halbleiterbauelemente. Bauelemente der Mikrosystemtechnik. Streifen-Biege-Prüfverfahren zur Messung von Zugbeanspruchungsmerkmalen dünner Schichten
BS EN 62047-9   Halbleiterbauelemente. Bauelemente der Mikrosystemtechnik. Prüfverfahren zur Festigkeit von Full-Wafer-Bondverbindungen in der Mikrosystemtechnik (MEMS)
BS EN 62047-10   Halbleiterbauelemente. Bauelemente der Mikrosystemtechnik. Druckprüfverfahren an zylinderförmigen Mikroproben für Werkstoffe der Mikrosystemtechnik
BS EN 62047-12   Halbleiterbauelemente. Bauelemente der Mikrosystemtechnik. Verfahren zur Prüfung der Biege-Ermüdungsfestigkeit von Dünnschichtwerkstoffen unter Verwendung der Resonanzschwingungen bei MEMS-Strukturen
BS EN 62258-1   Halbleiter-Chip-Erzeugnisse Beschaffung und Anwendung
BS EN 62258-2   Halbleiter-Chip-Erzeugnisse. Datenaustausch-Formate
BS EN 62373   Stabilitaetspruefung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung fuer Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET)
BS EN 62374-1   Halbleiterbauelemente. Prüfung auf zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB) bei Isolationsschichten zwischen metallischen Leiterbahnen
BS EN 62415   Halbleiterbauelemente. Konstantstrom-Prüfverfahren zur Elektromigration
BS EN 62416   Halbleiterbauelemente. Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOSTransistoren
BS EN 62418   Halbleiterbauelemente. Prüfverfahren zur Metallisierungs-Stressmigration
BS DD IEC/PAS 62483   Prüfverfahren zur Messung von Whisker-Wachstum bei Oberflächenbeschichtungen aus Zinn oder Zinnlegierung
BS EN 120003   Harmonisiertes Guetebestaetigungssystem fuer Bauelemente der Elektronik. Vordruck fuer Bauartspezifikation. Phototransistoren, Photo-Darlington-Transistoren, Phototransistorzeilen
BS EN 120004   Harmonisiertes Guetebestaetigungssystem fuer Bauelemente der Elektronik. Vordruck fuer Bauartspezifikation. Umgebungsbezogene Optokoppler mit Phototransistor-Ausgang
BS EN 150001   Harmonisiertes Guetebestaetigungssystem fuer Bauelemente der Elektronik. Vordruck fuer Bauartspezifikation: Allzweckhalbleiterdioden
BS EN 150004   Harmonisiertes Guetebestaetigungssystem fuer Bauelemente der Elektronik. Vordruck fuer Bauartspezifikation: bipolare Transistoren fuer Schalteranwendungen
BS EN 150006   Harmonisiertes Guetebestaetigungssystem fuer Bauelemente der Elektronik. Vordruck fuer Bauartspezifikation. Kapazitaets - (Variations -) dioden fuer Abstimmzwecke
BS EN 150010   Harmonisiertes Guetebestaetigungssystem fuer Bauelemente der Elektronik. Vordruck fuer Bauartspezifikation: umgebungsbezogene Thyristoren
BS EN 150012   Harmonisiertes Guetebestaetigungssystem fuer Bauelemente der Elektronik. Vordruck fuer Bauartspezifikation: Feldeffekt-Transistoren mit einer Gate-Elektrode
BS EN 150013   Harmonisiertes Guetebestaetigungssystem fuer Bauelemente der Elektronik. Vordruck fuer Bauartspezifikation: Stromstabilisator- und Stromreferenzdioden
BS EN 150014   Harmonisiertes Guetebestaetigungssystem fuer Bauelemente der Elektronik. Vordruck fuer Bauartspezifikation: Thyristor-Dioden, Ueberspannungs-Begrenzer
BS EN 150015   Harmonisiertes Guetebestaeigungssystem fuer Bauelemente der Elektronik. Vordruck fuer Bauartspezifikationen: Unidirektionale Ueberspannungs-Begrenzer-Dioden
BS EN 153000   Fachgrundspezifikation. Druckkontakt-Einzel-Lestungshalbleiterbauelemente (Befaehigungsanerkennung)
BS QC 750001   Harmonisiertes Guetebestaetigungssystem fuer Bauelemente der Elektronik. Einzelhalbleiterbauelemente. Vordruck fuer Bauartspezifikation. Signaldioden, Schaltdioden und Dioden mit kontrolliertem Durchbruch
BS QC 750005   Harmonisiertes Guetebestaetigungssystem fuer Bauelemente der Elektronik. Einzelhalbleiterbauelemente. Vardruck fuer Bauartspezifikation. Spannungsstabilator- und Referenzdioden, ausser temperaturkompensierten Praezisions-Referenzdioden
BS QC 750100+A2   Harmonisiertes Guetebestaetigungssystem fuer Bauelemente der Elektronik. Einzelhalbleiter-Bauelemente. Rahmenspezifikation
BS QC 750102   Halbleiterbauelemente. Einzel-Halbleiterbauelemente. Bipolare Transistoren. Hauptabschnitt 1: Vordruck fuer Bauartspezifikationen fuer umgebungsbezogene bipolare Transistoren fuer NF- und HF-Verstaerkungen
BS QC 750104   Halbleiterbauelemente. Diskrete Bauelemente. Bipolare Transistoren. Vordruck fuer Bauartspezifikation fuer bipolare Transistoren zum Umschalten
BS QC 750108   Halbleiterbauelemente. Einzelhalbleiterbauelemente. Gleichrichterdioden. Vordruck fuer Bauartspezifikationen fuer Gleichrichterdioden (einschliesslich Avalance-Gleichrichterdioden), umgebungs- und gehaeusebezogen bis 100 A
BS QC 750109   Halbleiterbauelemente. Einzel-Halbleiterbauelemente. Gleichrichterdioden. Vordruck fuer Bauartspezifikationen fuer Gleichrichterdioden (einschliesslich Avalanche Gleichrichterdioden), umgebungs- und gehaeusebezogen fuer Stroeme ueber 100 A
BS QC 750112   Harmonisiertes Guetebestaetigungssystem fuer Bauelemente der Elektronik Vordruck fuer Bauartspezifikation. Halbleiter Bauelemente. Diskrete Bauelemente. Feldeffekttransistoren. Vordnick fuer Bauartspezifikation fuer Feldeffekttransistoren mit einer Gate-Elektrode, bis 5 W und 1 GHz
OENORM EN 60821   IEC-821-VMEbus - Mikroprozessor-Systembus für 1 Byte bis 4 Byte Daten (IEC 821:1991, modifiziert)
OEVE/OENORM EN 60146-2   Halbleiter-Stromrichter - Teil 2: Selbstgeführte Halbleiter-Stromrichter einschließlich Gleichstrom-Direktumrichter (IEC 60146-2:1999)
OEVE/OENORM EN 60191-1   Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 1: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Gehäusezeichnungen von Einzelhalbleiterbauelementen (IEC 60191-1:2007)
OEVE/OENORM EN 60191-3   Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 3: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Gehäusezeichnungen für integrierte Schaltungen (IEC 60191-3:1999)
OEVE/OENORM EN 60191-4+A1+A2   Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 4: Codierungssystem für Gehäuse und Eingruppierung der Gehäuse nach der Gehäuseform für Halbleiterbauelemente (IEC 60191-4:1999 + A1:2001 + A2:2002)
OEVE/OENORM EN 60191-6   Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 6: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Gehäusezeichnungen von SMD-Halbleitergehäusen (IEC 60191-6:2009) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 60191-6   Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 6: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Gehäusezeichnungen von SMD-Halbleitergehäusen (IEC 60191-6:2004)
OEVE/OENORM EN 60191-6-1   Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 6-1: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Gehäusezeichnungen von SMD-Halbleitergehäusen - Konstruktionsleitfaden für Gehäuse mit Gullwing-Anschlüssen (IEC 60191-6-1:2001)
OEVE/OENORM EN 60191-6-2   Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 6-2: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Gehäusezeichnungen von SMD-Halbleitergehäusen - Konstruktionsleitfaden für Gehäuse mit Kugel- und Säulenanschlüssen in einem Raster von 1,50 mm, 1,27 mm und 1,00 mm (IEC 60191-6-2:2001)
OEVE/OENORM EN 60191-6-4   Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 6-4: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Gehäusezeichnungen von SMD-Halbleitergehäusen - Messverfahren für Gehäusemaße von Ball Grid Array (BGA) (IEC 60191-6-4:2003)
OEVE/OENORM EN 60191-6-5   Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 6-5: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Gehäusezeichnungen von SMD-Halbleitergehäusen - Konstruktionsleitfaden für Feinraster-Ball-Grid-Arrays (FBGA) (IEC 60191-6-5:2001)
OEVE/OENORM EN 60191-6-6   Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 6-6: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Gehäusezeichnungen von SMD-Halbleitergehäusen - Konstruktionsleitfaden für Feinraster-Land-Grid-Array (FLGA) (IEC 60191-6-6:2001)
OEVE/OENORM EN 60191-6-8   Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 6-8: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Gehäusezeichnungen von SMD-Halbleitergehäusen - Konstruktionsleitfaden für Glas-Keramik-Quad-Flatpack (G-QFP) (IEC 60191-6-8:2001)
OEVE/OENORM EN 60191-6-10   Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 6-10: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Gehäusezeichnungen von SMD-Halbleitergehäusen - P-VSON Gehäusemaße (IEC 60191-6-10:2003)
OEVE/OENORM EN 60191-6-12   Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 6-12: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Gehäusezeichnungen von SMD-Halbleitergehäusen - Konstruktionsleitfaden für Feinraster-Land-Grid-Array (FLGA) - Rechteckige Ausführung (IEC 60191-6-12:2002)
OEVE/OENORM EN 60191-6-13   Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 6-13: Konstruktionsleitfaden für Open-top-Fassungen für Feinraster-Ball-Grid-Array und Feinraster-Land-Grid-Array (FBGA/FLGA) (IEC 60191-6-13:2007)
OEVE/OENORM EN 60191-6-16   Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 6-16: Glossar für Fassungen für die Prüfung und Voralterung von BGA, LGA, FBGA und FLGA (IEC 60191-6-16:2007)
OEVE/OENORM EN 60191-6-17   Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 6-17: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Gehäusezeichnungen von SMD-Halbleitergehäusen - Konstruktionsleitfaden für gestapelte Gehäuse - Feinraster-Ball-Grid-Array und Feinraster-Land-Grid-Array (P-PFBGA/P-PFLGA) (IEC 60191-6-17:2011) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 60191-6-18   Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 6-18: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Gehäusezeichnungen von SMD-Halbleitergehäusen - Konstruktionsleitfaden für Ball-Grid-Array (BGA) (IEC 60191-6-18:2010) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 60191-6-19   Mechanische Normung von Halbleiterbaulementen - Teil 6-19: Messverfahren für die Gehäuse-Verbiegung bei erhöhter Temperatur und die maximal zulässige Verbiegung (IEC 60191-6-19:2010) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 60191-6-20   Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 6-20: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Gehäusezeichnungen von SMD-Halbleitergehäusen - Messverfahren für Gehäusemaße von kleinen Gehäusen mit J-förmigen Anschlüssen (SOJ) (IEC 60191-6-20:2010)
OEVE/OENORM EN 60191-6-21   Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 6-21: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Gehäusezeichnungen von SMD-Halbleitergehäusen - Messverfahren für Gehäusemaße von kleinen Gehäusen (SOP) (IEC 60191-6-21:2010)
OEVE/OENORM EN 60700-1   Thyristorventile für Hochspannungsgleichstrom-Energieübertragung (HGÜ) - Teil 1: Elektrische Prüfung (IEC 60700-1:1998 + A1:2003 + A2:2008) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 60747-15   Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 15: Isolierte Leistungshalbleiter (IEC 60747-15:2003)
OEVE/OENORM EN 60747-16-1   Halbleiterbauelemente - Teil 16-1: Integrierte Mikrowellen-Verstärker (IEC 60747-16-1:2001 + A1:2007)
OEVE/OENORM EN 60747-16-3   Halbleiterbauelemente - Teil 16-3: Integrierte Schaltungen zur Frequenzumsetzung von Mikrowellen (IEC 60747-16-3:2002 + A1:2009) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 60747-16-3   Halbleiterbauelemente - Teil 16-3: Integrierte Schaltungen zur Frequenzumsetzung von Mikrowellen (IEC 60747-16-3:2002)
OEVE/OENORM EN 60747-16-4   Halbleiterbauelemente - Teil 16-4: Integrierte Mikrowellenschaltkreise - Schalter (IEC 60747-16-4:2004 + A1:2009) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 60747-16-4   Halbleiterbauelemente - Teil 16-4: Integrierte Mikrowellenschaltkreise - Schalter (IEC 60747-16-4:2004)
OEVE/OENORM EN 60749+A1+A2   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren (IEC 60749:1996 + A1:2000 + A2:2001)
OEVE/OENORM EN 60749-1   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 1: Allgemeines (IEC 60749-1:2002 + Corrigendum 1:2003)
OEVE/OENORM EN 60749-2   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 2: Niedriger Luftdruck (IEC 60749-2:2002)
OEVE/OENORM EN 60749-3   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 3: Äußere Sichtprüfung (IEC 60749-3:2002)
OEVE/OENORM EN 60749-4   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 4: Feuchte Wärme, konstant, Prüfung mit hochbeschleunigter Wirkung (HAST) (IEC 60749-4:2002)
OEVE/OENORM EN 60749-5   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 5: Lebensdauerprüfung bei konstanter Temperatur und Feuchte unter elektrischer Beanspruchung (IEC 60749-5:2003)
OEVE/OENORM EN 60749-6   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 6: Lagerung bei hoher Temperatur (IEC 60749-6:2002)
OEVE/OENORM EN 60749-7   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 7: Messung des inneren Feuchtegehaltes und Analyse von anderen Restgasen (IEC 60749-7:2002)
OEVE/OENORM EN 60749-8   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 8: Dichtheit (IEC 60749-8:2002 + Corr.1:2003 + Corr.2:2003)
OEVE/OENORM EN 60749-9   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 9: Beständigkeit der Kennzeichnung (IEC 60749-9:2002)
OEVE/OENORM EN 60749-10   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 10: Mechanisches Schocken (IEC 60749-10:2002)
OEVE/OENORM EN 60749-11   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüvferfahren - Teil 11: Rascher Temperaturwechsel - Zweibäderverfahren (IEC 60749-11:2002 + Corr. 1:2003)
OEVE/OENORM EN 60749-12   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 12: Schwingen, variable Frequenz (IEC 60749-12:2002)
OEVE/OENORM EN 60749-13   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 13: Salzatmosphäre (IEC 60749-13:2002)
OEVE/OENORM EN 60749-14   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 14: Festigkeit der Bauelementeanschlüsse (Unversehrtheit der Anschlüsse) (IEC 60749-14:2003)
OEVE/OENORM EN 60749-15   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 15: Beständigkeit gegen Löttemperatur bei Bauelementen zur Durchsteckmontage (IEC 60749-15:2003)
OEVE/OENORM EN 60749-15   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 15: Beständigkeit gegen Löttemperatur bei Bauelementen zur Durchsteckmontage (IEC 60749-15:2010) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 60749-16   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 16: Nachweis des Teilchen-Aufprallgeräusches (PIND) (IEC 60749-16:2003)
OEVE/OENORM EN 60749-17   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 17: Neutronenbestrahlung (IEC 60749-17:2003)
OEVE/OENORM EN 60749-18   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 18: Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis) (IEC 60749-18:2002)
OEVE/OENORM EN 60749-19   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit (IEC 60749-19:2003 + A1:2010) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 60749-19   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 19: Prüfung der Chip-Bondfestigkeit (IEC 60749-19:2003)
OEVE/OENORM EN 60749-20   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20: Beständigkeit kunststoffverkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente (SMD) gegenüber der kombinierten Beanspruchung von Feuchte und Lötwärme (IEC 60749-20:2002 + Corrigendum 1:2003)
OEVE/OENORM EN 60749-20   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20: Beständigkeit kunststoffverkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente (SMD) gegenüber der kombinierten Beanspruchung von Feuchte und Lötwärme (IEC 60749-20:2008) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 60749-20-1   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 20-1: Handhabung, Verpackung, Kennzeichnung und Transport oberflächenmontierbarer Bauelemente, die empfindlich gegen die Kombination von Feuchte und Lötwärme sind (IEC 60749-20-1:2009) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 60749-21   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 21: Lötbarkeit (IEC 60749-21:2004)
OEVE/OENORM EN 60749-22   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 22: Kontaktfestigkeit (Bond-strength) (IEC 60749-22:2002 + Corrigendum 1:2003)
OEVE/OENORM EN 60749-23   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 23: Lebensdauer bei hoher Temperatur (IEC 60749-23:2004)
OEVE/OENORM EN 60749-23   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 23: Lebensdauer bei hoher Temperatur (IEC 60749-23:2004 + A1:2011) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 60749-24   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 24: Beschleunigte Verfahren für Feuchtebeständigkeit - Hochbeschleunigte Wirkung (HAST) ohne elektrische Beanspruchung (IEC 60749-24:2004)
OEVE/OENORM EN 60749-25   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 25: Zyklische Temperaturwechsel (IEC 60749-25:2003)
OEVE/OENORM EN 60749-26   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Human Body Model (HBM) (IEC 60749-26:2006)
OEVE/OENORM EN 60749-27   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Machine Model (MM) (IEC 60749-27:2006)
OEVE/OENORM EN 60749-29   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 29: Latch-up-Prüfung (IEC 60749-29:2003)
OEVE/OENORM EN 60749-30   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 30: Behandlung nicht hermetisch verkappter oberflächenmontierbarer Bauelemente vor Zuverlässigkeitsprüfungen (IEC 60749-30:2005)
OEVE/OENORM EN 60749-31   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 31: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Selbstentzündung) (IEC 60749-31:2002 + Corrigendum 1:2003)
OEVE/OENORM EN 60749-32   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Fremdentzündung) (IEC 60749-32:2002 + Corrigendum 1:2003)
OEVE/OENORM EN 60749-32   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von Bauelementen in Kunststoffgehäusen (Fremdentzündung) (IEC 60749-32:2002 + Cor. : 2003 + A1:2010) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 60749-33   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 33: Beschleunigte Verfahren für Feuchtebeständigkeit - Autoclave ohne elektrische Beanspruchung (IEC 60749-33:2004)
OEVE/OENORM EN 60749-34   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 34: Lastwechselprüfung (IEC 60749-34:2010) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 60749-34   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 34: Lastwechselprüfung (IEC 60749-34:2004)
OEVE/OENORM EN 60749-35   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 35: Ultraschallmikroskopie für kunststoffverkappte Bauelemente der Elektronik (IEC 60749-35:2006)
OEVE/OENORM EN 60749-36   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 36: Gleichmäßiges Beschleunigen (IEC 60749-36:2003)
OEVE/OENORM EN 60749-37   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 37: Prüfverfahren Fall der Leiterplatte unter Verwendung eines Beschleunigungs-Messgerätes (IEC 60749-37:2008)
OEVE/OENORM EN 60749-38   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher (IEC 60749-38:2008)
OEVE/OENORM EN 60749-39   Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung des Feuchtediffusionskoeffizienten und der Wasserlöslichkeit in organischen Werkstoffen, welche bei Halbleiter-Komponenten verwendet werden (IEC 60749-39:2006)
OEVE/OENORM EN 61643-321   Bauelemente für Überspannungsschutzgeräte für Niederspannung - Teil 321: Festlegungen für Avalanche-Dioden (ABD) (IEC 61643-321:2001)
OEVE/OENORM EN 61643-341   Bauelemente für Überspannungsschutzgeräte für Niederspannung - Teil 341: Festlegungen für Suppressordioden (TSS) (IEC 61643-341:2001)
OEVE/OENORM EN 61954+A1   Leistungselektronik für Übertragungs- und Verteilungsnetze - Prüfung von Thyristorventilen für statische Blindleistungskompensatoren (IEC 61954:1999 + A1:2003)
OEVE/OENORM EN 61975   Anlagen zur Hochspannungsgleichstromübertragung (HGÜ) - Systemprüfungen (IEC 61975:2010)
OEVE/OENORM EN 62007-1   Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Anwendungen in Lichtwellenleitersystemen - Teil 1: Vorlage für Leistungsspezifikationen für wesentliche Grenz- und Kennwerte (IEC 62007-1:2008) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 62007-2   Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Anwendungen in Lichtwellenleitersystemen - Teil 2: Messverfahren (IEC 62007-2:2009) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 62031   LED-Module für Allgemeinbeleuchtung - Sicherheitsanforderungen (IEC 62031:2008)
OEVE/OENORM EN 62047-1   Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 1: Begriffe und Definitionen (IEC 62047-1:2005)
OEVE/OENORM EN 62047-2   Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 2: Prüfverfahren zur Zugbeanspruchung bei Dünnschicht-Werkstoffen (IEC 62047-2:2006)
OEVE/OENORM EN 62047-3   Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 3: Dünnschicht-Standardmikroprobe für die Prüfung der Zugbeanspruchung (IEC 62047-3:2006)
OEVE/OENORM EN 62047-4   Halbleiterbauelemente - Bauteile der Mikrosystemtechnik - Teil 4: Fachgrundspezifikation für Mikrosystemtechnik (IEC 62047-4:2008)
OEVE/OENORM EN 62047-6   Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 6: Prüfverfahren zur uniaxialen Dauerschwingfestigkeit von Dünnschicht-Werkstoffen (IEC 62047-6:2009) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 62258-1   Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 1: Anforderungen für Beschaffung und Anwendung (IEC 62258-1:2005)
OEVE/OENORM EN 62258-1   Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 1: Beschaffung und Anwendung (IEC 62258-1:2009)
OEVE/OENORM EN 62258-2   Semiconductor die products - Part 2: Exchange data formats (IEC 62258-2:2005)
OEVE/OENORM EN 62258-5   Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 5: Anforderungen für Angaben hinsichtlich der elektrischen Simulation (IEC 62258-5:2006)
OEVE/OENORM EN 62258-6   Halbleiter-Chip-Erzeugnisse - Teil 6: Anforderungen für Angaben hinsichtlich der thermischen Simulation (IEC 62258-6:2006)
OEVE/OENORM EN 62373   Stabilitätsprüfung unter Temperatur-Spannungs-Beanspruchung für Feldeffekttransistoren mit Metalloxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62373:2006)
OEVE/OENORM EN 62374   Halbleiterbauelemente - Prüfung des zeitabhängigen dielektrischen Durchbruchs (TDDB) für dielektrische Gate-Schichten (IEC 62374:2007)
OEVE/OENORM EN 62374-1   Halbleiterbauelemente - Teil 1: Prüfung auf zeitabhängigen dielektrischen Durchbruch (TDDB) bei Isolationsschichten zwischen metallischen Leiterbahnen (IEC 62374-1:2010) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 62384   Gleich- oder wechselstromversorgte elektronische Betriebsgeräte für LED-Module - Anforderungen an die Arbeitsweise (IEC 62384:2006)
OEVE/OENORM EN 62384   Gleich- oder wechselstromversorgte elektronische Betriebsgeräte für LED-Module - Anforderungen an die Arbeitsweise (IEC 62384:2006 + A1:2009) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 62415   Halbleiterbauelemente - Konstantstrom-Prüfverfahren zur Elektromigration (IEC 62415:2010) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 62416   Halbleiterbauelemente - Hot-Carrier-Prüfverfahren für MOS-Transistoren (IEC 62416:2010) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 62417   Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren auf mobile Ionen für Feldeffekttransistoren mit Metall-Oxid-Halbleiter (MOSFET) (IEC 62417:2010) (deutsche Fassung)
OEVE/OENORM EN 62418   Halbleiterbauelemente - Prüfverfahren zur Metallisierungs-Stressmigration (IEC 62418:2010) (deutsche Fassung)