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Norm-Entwurf 2011-12

DIN EN 60747-5-7:2011-12 - Entwurf

Halbleiterbauelemente - Einzel-Halbleiterbauelemente - Teil 5-7: Optoelektronische Bauelemente - Photodioden und Phototransistoren (IEC 47E/420/CD:2011)

Englischer Titel
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 5-7: Optoelectronic devices - Photodiodes and phototransistors (IEC 47E/420/CD:2011)
Erscheinungsdatum
2011-12-05
Ausgabedatum
2011-12
Originalsprachen
Deutsch, Englisch

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Erscheinungsdatum
2011-12-05
Ausgabedatum
2011-12
Originalsprachen
Deutsch, Englisch
DOI
https://dx.doi.org/10.31030/1858401

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Einführungsbeitrag

Dieser Teil 5-7 der Normenreihe 60747 behandelt die Terminologie, die wesentlichen Grenz- und Kennwerte und die Messverfahren für Photodioden (PDs) und Phototransistoren (PTs). Nach Definition und Erläuterung physikalischer Begriffe (unter anderem elektromagnetische Strahlung, optische Strahlung, sichtbare Strahlung, infrarote Strahlung, photoelektrischer Effekt) werden in einem weiteren Kapitel ausführlich die Arten von Bauelementen, unter anderem photoempfindliches (Halbleiter-)Bauelement, optoelektronisches Halbleiterbauelement, Photodiode, Phototransistor, erläutert. Im Kapitel "Allgemeine Begriffe" wird näher auf die optische Achse, den optische Eingang und den optischen Mantel eingegangen. Daran anschließend werden Begriffe, die mit Grenz- und Kennwerten in Verbindung stehen, zum Beispiel Kennwerte der photoempfindlichen Bauelemente, erklärt. Im weiteren Verlauf des Norm-Entwurfs widmen sich weitere Kapitel den wesentlichen Grenz- und Kennwerten für Photodioden und für Phototransistoren. Hier wird unter anderem auf den Typ, das Halbleitermaterial, Einzelheiten zu Gehäuse und Umhüllung, die Grenzwerte (System der absoluten Grenzwerte) über den gesamten Betriebstemperaturbereich und die elektrischen Kennwerte näher eingegangen. Zuständig ist das UK 631.1 "Einzel-Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.

DOI
https://dx.doi.org/10.31030/1858401

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