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Norm-Entwurf [ZURÜCKGEZOGEN] 2017-07

DIN EN 60749-26:2017-07;VDE 0884-749-26:2017-07 - Entwurf

VDE 0884-749-26:2017-07

Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Human Body Model (HBM) (IEC 47/2343/CDV:2017); Deutsche Fassung prEN 60749-26:2017

Englischer Titel
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 26: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Human body model (HBM) (IEC 47/2343/CDV:2017); German version prEN 60749-26:2017
Erscheinungsdatum
2017-06-23
Ausgabedatum
2017-07
Barrierefreiheit
Originalsprachen
Deutsch, Englisch

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2017-06-23
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Einführungsbeitrag

In dem Norm-Entwurf wird das Verfahren für die Prüfung, Bewertung und Klassifizierung von Bauelementen und Mikroschaltungen nach ihrer Störanfälligkeit (Empfindlichkeit) gegen Beschädigung oder Funktionsbeeinträchtigung festgelegt, wenn diese Bauelemente mit den im Human-Body-Modell (HBM) festgelegten elektrostatischen Entladungen (ESD) beansprucht werden. Der Zweck dieses Dokuments ist die Festlegung eines Prüfverfahrens, mit dem wiederholbare HBM-Ausfälle erzeugt werden und welches ungeachtet des Bauelementetyps zuverlässige und wiederholbare HBM-ESD-Prüfergebnisse von Prüfeinrichtung zu Prüfeinrichtung liefert. Die Wiederholbarkeit der Daten lässt präzise Klassifizierungen und Vergleiche der HBM-ESD-Empfindlichkeitspegel zu. Die ESD-Prüfung von Halbleiterbauelementen erfolgt nach diesem Prüfverfahren, dem Prüfverfahren des Machine-Models (MM) (siehe DIN EN 60749-27) und anderen ESD-Prüfverfahren der Normenreihe DIN EN 60749. Das HBM- und das MM-Prüfverfahren führen zu ähnlichen, aber nicht identischen Prüfergebnissen; sofern nicht anders angegeben, ist das HBM-Prüfverfahren anzuwenden. Zuständig ist das DKE/K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE.

Änderungsvermerk

Dokument wurde ersetzt durch: DIN EN IEC 60749-26:2018-10;VDE 0884-749-26 .

Folgende Änderungen wurden vorgenommen:

Gegenüber DIN EN 60749-26 (VDE 0884-749-26):2014-09 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) ein neuer Abschnitt zur HBM-Beanspruchung mit einem Simulator mit geringen parasitären Elementen wurde hinzugefügt, zusammen mit einer Prüfung zur Bestimmung, ob es sich um einen Simulator mit geringen parasitären Elementen handelt; b) ein neuer Abschnitt zu geklonten Nichtversorgungsanschlüssen und ein neuer Anhang über die Prüfung von geklonten Nichtversorgungsanschlüssen wurden hinzugefügt.

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