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Norm-Entwurf [ZURÜCKGEZOGEN]
DIN EN IEC 60891:2019-10 - Entwurf
VDE 0126-6:2019-10
Photovoltaische Einrichtungen - Verfahren zur Umrechnung von gemessenen Strom-Spannungs-Kennlinien auf andere Temperaturen und Bestrahlungsstärken (IEC 82/1541/CD:2019); Text Deutsch und Englisch
- Englischer Titel
- Photovoltaic devices - Procedures for temperature and irradiance corrections to measured I-V characteristics (IEC 82/1541/CD:2019); Text in German and English
- Erscheinungsdatum
- 2019-09-20
- Ausgabedatum
- 2019-10
- Originalsprachen
- Deutsch, Englisch
- Seiten
- 60
- Erscheinungsdatum
- 2019-09-20
- Ausgabedatum
- 2019-10
- Originalsprachen
- Deutsch, Englisch
- Seiten
- 60
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In diesem internationalen Norm-Entwurf werden Verfahren beschrieben, die bei der Umrechnung von gemessenen I-U-Kennlinien (Strom-Spannungs-Kennlinien) (auch bezeichnet als I-U-Kurven) von photovoltaischen (PV-)Bauelementen einzuhalten sind. Ebenso werden die Verfahren festgelegt, die zur Bestimmung der Korrekturfaktoren anzuwenden sind. Die Anforderungen für die I-U-Messung von PV-Elementen sind in der Norm IEC 60904-1 und ihren betreffenden Teilen dargelegt. Die PV-Elemente umfassen Einzelzellen mit oder ohne Schutzabdeckung, eine Solarzellenteilbaugruppe oder ein Modul. Für jeden Bauelementetyp gilt eine andere Gruppe der bestimmenden Parameter für die Korrektur der I-U-Kurve. Obwohl die Temperaturkoeffizienten für ein Modul (oder eine Teilbaugruppe von Zellen) aus den Messungen an einer Einzelzelle berechnet werden dürfen, sollte beachtet werden, dass der Reiheninnenwiderstand und der Kennlinienkorrekturfaktor für ein Modul oder eine Zellenteilbaugruppe getrennt bestimmt werden sollten. Zuständig ist das DKE/K 373 "Photovoltaische Solarenergie-Systeme" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE.
Dokument wurde ersetzt durch DIN EN IEC 60891:2022-10; VDE 0126-6:2022-10 .
Gegenüber DIN EN 60891 (VDE 0126-6):2010-10 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) Ergänzung eines Leitfadens dafür, welches Korrekturverfahren in Abhängigkeit von der Anwendung angewendet werden muss; b) Einführung eines Umrechnungsverfahrens 4, das für die kristalline Silizium(c-Si)-Technologie mit unbekannten Temperaturkoeffizienten gilt; c) Einführung verschiedener Erläuterungen für bestehende Verfahren zur Verbesserung der Messgenauigkeit und zur Verringerung der Messunsicherheit; d) Ergänzung eines informativen Anhangs mit zusätzlichen Verfahren zur Bestimmung des Reihenwiderstandes.