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Norm-Entwurf [ZURÜCKGEZOGEN]

DIN EN ISO 4499-2:2018-07 - Entwurf

Hartmetalle - Metallographische Bestimmung der Mikrostruktur - Teil 2: Messung der WC Korngröße (ISO/DIS 4499-2:2018); Deutsche und Englische Fassung prEN ISO 4499-2:2018

Englischer Titel
Hardmetals - Metallographic determination of microstructure - Part 2: Measurement of WC grain size (ISO/DIS 4499-2:2018); German and English version prEN ISO 4499-2:2018
Erscheinungsdatum
2018-06-15
Ausgabedatum
2018-07
Originalsprachen
Deutsch, Englisch
Seiten
45

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Erscheinungsdatum
2018-06-15
Ausgabedatum
2018-07
Originalsprachen
Deutsch, Englisch
Seiten
45
DOI
https://dx.doi.org/10.31030/2852287

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Einführungsbeitrag

Dieses Dokument gibt Leitlinien für die Messung der Hartmetallkorngröße mittels metallographischer Verfahren ausschließlich unter Anwendung der Licht- oder Elektronenmikroskopie an. Dieser ist für gesinterte WC/Co-Hartmetalle (auch als Sinterhartmetalle oder Cermets bezeichnet) vorgesehen, die hauptsächlich WC (de: Wolframcarbid, en: tungsten carbide) als harte Phase haben. Er ist ebenfalls für die Messung der Korngröße und deren Verteilung mit dem Linienschnittverfahren vorgesehen. Dieses Dokument (prEN ISO 4499-2:2018) wurde vom Technischen Komitee ISO/TC 119/SC 4 "Sampling and testing methods for hardmetals" erarbeitet, dessen Sekretariat von DIN (Deutschland) gehalten wird. Das zuständige nationale Normungsgremium ist der Arbeitsausschuss NA 145-01-04 AA "Probenahme und Prüfverfahren für Hartmetalle" im DIN-Normenausschuss Werkstofftechnologie (NWT).

Inhaltsverzeichnis
ICS
77.040.99, 77.160
DOI
https://dx.doi.org/10.31030/2852287
Ersatzvermerk

Dokument wurde ersetzt durch DIN EN ISO 4499-2:2020-11 .

Änderungsvermerk

Gegenüber DIN EN ISO 4499-2:2010-10 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) Abschnitt 5, 2. Absatz, "Elektronenrückstreudiffraktometrie (EBSD) (en: Electron Back Scatter Diffraction)" eingefügt; b) Unterabschnitt 7.2.1, Liste überarbeitet; c) Unterabschnitt 7.3.3, Tabelle 1, Reihe "Elektronenrückstreudiffraktometrie" hinzugefügt und in Reihe "Rasterelektronenmikroskop" den Wert für die "Kleinste sichtbare Schnittlinienlänge" korrigiert von 200 nm auf 400 nm.

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