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Norm 2013-10

DIN 51456:2013-10

Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Oberflächenanalyse von Silicium-Halbleiterscheiben (Wafer) durch Multielementbestimmung in wässrigen Analysenlösungen mittels Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-MS)

Englischer Titel
Testing of materials for semiconductor technology - Surface analysis of silicon wafers by multielement determination in aqueous analysis solutions using mass spectrometry with inductively coupled plasma (ICP-MS)
Ausgabedatum
2013-10
Barrierefreiheit
Originalsprachen
Deutsch

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2013-10
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Deutsch
DOI
https://dx.doi.org/10.31030/2052901

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Einführungsbeitrag

Dieses Dokument legt ein Verfahren zur Bestimmung der Massenanteile der Elemente Al (Aluminium), As (Arsen), Ba (Barium), Be (Beryllium), Ca (Calcium), Cd (Cadmium), Co (Kobalt), Cr (Chrom), Cu (Kupfer), Fe (Eisen), In (Indium), K (Kalium), Li (Lithium), Mg (Magnesium), Mn (Mangan), Mo (Molybdän), Na (Natrium), Ni (Nickel), Pb (Blei), Sb (Antimon), Sr (Strontium), Ti (Titan), V (Vanadium), Zn (Zink) und Zr (Zirconium) im Spurenbereich auf einer Siliciumscheiben-Oberfläche fest, wobei als Bestimmungsverfahren die Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-MS) eingesetzt wird.
Das Verfahren gilt für Elementspuren-Massenanteile von 10 ng/kg bis 10 000 ng/kg in der Scanlösung.
Dieses Dokument gilt nur für Siliciumscheiben, die eine durch Fluorwasserstoff zersetzbare Schicht auf ihrer Oberfläche aufweisen.
Dieses Dokument wurde vom Arbeitsausschuss NA 062-02-21 AA "Prüfung von Prozesschemikalien für die Halbleitertechnologie" im Normenausschuss Materialprüfung (NMP) im DIN erarbeitet.

Inhaltsverzeichnis
DOI
https://dx.doi.org/10.31030/2052901
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