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im Jahr unseres 100-jährigen Bestehens stellen wir uns als Teil der DIN-Gruppe für die Zukunft auf – mit einem neuen Namen. 

Am 22. April 2024 ist es so weit:

Aus Beuth Verlag wird DIN Media. 

Mehr über unsere Umbenennung und die (Hinter)Gründe erfahren Sie hier.

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Norm [AKTUELL]

DIN EN 60191-6-22:2013-08

Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen - Teil 6-22: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Gehäusezeichnungen von SMD-Halbleitergehäusen - Konstruktionsleitfaden für Halbleitergehäuse Si-Feinraster-Ball-Grid-Array und Si-Feinraster-Land-Grid-Array (S-FBGA und S-FLGA) (IEC 60191-6-22:2012); Deutsche Fassung EN 60191-6-22:2013

Englischer Titel
Mechanical standardization of semiconductor devices - Part 6-22: General rules for the preparation of outline drawings of surface mounted semiconductor device packages - Design guide for semiconductor packages Silicon Fine-pitch Ball Grid Array and Silicon Fine-pitch Land Grid Array (S-FBGA and S-FLGA) (IEC 60191-6-22:2012); German version EN 60191-6-22:2013
Ausgabedatum
2013-08
Originalsprachen
Deutsch
Seiten
18

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Ausgabedatum
2013-08
Originalsprachen
Deutsch
Seiten
18
DOI
https://dx.doi.org/10.31030/2015842

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Einführungsbeitrag

Die Normenreihe DIN EN 60191-6 basiert auf entsprechenden Internationalen Normen der Reihe IEC 60191-6. Darin werden Regeln für Gehäusezeichnungen von oberflächenmontierbaren Halbleitergehäusen in den unterschiedlichen Gehäuse- und Anschlussausführungen vorgegeben, die beim computergestützten Design- und Fertigungsprozess Anwendung finden. Dieser Teil von DIN EN 60191 enthält die Symbole mit zugehörigen Festlegungen für Gehäusezeichnungen und die anzuwendenden Abmessungen der Gehäuse, einschließlich der Anschlüsse, die für alle Bauarten und Werkstoffe von Gehäusen für Ball-Grid-Arrays (BGA) und Land-Grid-Arrays (LGA) auf Silizium-Basis gemeinsam sind. Zuständig ist das DKE/UK 631.4 "Gehäuse für Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.

ICS
01.100.25, 31.240
DOI
https://dx.doi.org/10.31030/2015842

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