DIN EN 60749-27:2013-04

Elektrostatische Entladungen können auf den feinen Strukturen, wie sie auf Halbleiterbauelementen üblich sind, leicht Veränderungen hervorrufen und so zu bleibenden Beeinträchtigungen der Funktionalität der Bauelemente führen. Die Reihe der Normen DIN EN 60749 "Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren" enthält unterschiedliche Prüfungen für die Empfindlichkeit von Halbleiterbauelementen gegen elektrostatische Entladungen: Im Teil 26 der Normenreihe ist das Human Body Model (HBM) festgelegt und im Teil 28 das Charge Device Model (CDM). In diesem Teil 27 der DIN EN 60749 ist ein Standardverfahren festgelegt, um Halbleiterbauelemente hinsichtlich deren Empfindlichkeit auf Beschädigungen oder Degradationen (Leistungsminderungen) zu prüfen und zu klassifizieren, wenn diese Bauelemente mit einer elektrostatischen Entladung (ESD; en: electrostatic discharge) nach dem festgelegten Maschinen-Modell (MM) beansprucht werden. Dieses Verfahren darf alternativ zum ESD-Prüfverfahren nach dem Human-Body-Modell verwendet werden. Ziel ist es, zuverlässige und wiederholbare ESD-Prüfergebnisse für eine korrekte Klassifizierung zu erhalten. Dieses Prüfverfahren kann bei allen Halbleiterbauelementen angewandt werden und ist als zerstörend eingestuft. Die in dieser Neuausgabe eingearbeitete Änderung zur IEC 60749-27 beinhaltet Festlegungen bezüglich des Nachschwingens des Impulses und der zugeordneten Spitzenstromwerte. Zuständig ist das K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.