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Norm 2012-10

DIN EN 62047-13:2012-10

Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 13: Biege- und Scherprüfverfahren zur Messung der Haftfestigkeit bei MEMS-Strukturen (IEC 62047-13:2012); Deutsche Fassung EN 62047-13:2012

Englischer Titel
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 13: Bend- and shear- type test methods of measuring adhesive strength for MEMS structures (IEC 62047-13:2012); German version EN 62047-13:2012
Ausgabedatum
2012-10
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Originalsprachen
Deutsch

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Ausgabedatum
2012-10
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Originalsprachen
Deutsch
DOI
https://dx.doi.org/10.31030/1902779

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Einführungsbeitrag

Strukturelemente im Mikrometerbereich von Mikrosystembauteilen (MEMS) werden auf laminierten feinstrukturierten Schichten aufgebaut, wobei diese Schichten mittels Dampfphasenabscheidung, galvanischer Metallisierung und/oder fotolithografischer Beschichtung hergestellt wurden. MEMS-Bauteile haben eine große Anzahl von Grenzschichten (Interfaces) zwischen unterschiedlichen Werkstoffen, bei denen während der Herstellung oder im Betrieb gelegentlich Delaminationen auftreten. Die Werkstoffkombinationen an den Grenzschichten bestimmen die Haftfestigkeit; überdies haben Defekte und mechanische Restspannungen in der Nachbarschaft der Grenzschicht, die von den Prozessbedingungen abhängig sind, starke Auswirkungen auf die Haftfestigkeit. In diesem Teil der DIN EN 62047 wird das Prüfverfahren zur Haftfestigkeit zwischen Strukturelementen im Mikrometerbereich und einem Substrat unter Verwendung einer Zylinderform der Mikroproben festgelegt. Dieses Dokument kann zur Messung der Haftfestigkeit von Mikrostrukturen angewendet werden, die auf einem Substrat präpariert wurden, deren Breiten und Dicken zwischen 1 µm und 1 mm liegen. Es dient somit der Auswahl optimaler Werkstoffe und Prozessbedingungen für MEMS-Bauteile. Entsprechend diesem Dokument gibt es keine Einschränkungen hinsichtlich des Proben-Werkstoffs, der Probengröße und der Leistungsfähigkeit der Prüfeinrichtung, da sowohl Werkstoffe und Größen von MEMS-Bauteilen stark differieren und die Prüfeinrichtungen für Werkstoffe im Mikrometerbereich nicht allgemein festgelegt sind. Zuständig ist das K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.

Inhaltsverzeichnis
DOI
https://dx.doi.org/10.31030/1902779
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