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Norm [AKTUELL]

DIN EN IEC 60749-26:2018-10

VDE 0884-749-26

Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Human Body Model (HBM) (IEC 60749-26:2018); Deutsche Fassung EN IEC 60749-26:2018

Englischer Titel
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 26: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Human body model (HBM) (IEC 60749-26:2018); German version EN IEC 60749-26:2018
Ausgabedatum
2018-10
Originalsprachen
Deutsch
Seiten
59

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Einführungsbeitrag

Elektrostatische Entladungen sind bei der Handhabung und Verarbeitung elektronischer Bauelemente und Mikroschaltungen ein wesentlicher Faktor für die uneingeschränkte Funktionsfähigkeit der elektronischen Schaltungen in der Anwendung. Zur Bewertung der Störanfälligkeit (Empfindlichkeit) gegen Beschädigung von Bauelementen und Mikroschaltungen werden daher Prüfungen nach unterschiedlichen Modellen bereitgestellt, mit denen Ausfälle auf Grund elektrostatischer Entladungen reproduziert werden können und somit ungeachtet des Bauelementetyps zuverlässige und wiederholbare ESD-Prüfergebnisse von Prüfeinrichtung zu Prüfeinrichtung liefern. In der Norm wird das Verfahren für die Prüfung, Bewertung und Klassifizierung nach ihrer Funktionsbeeinträchtigung festgelegt, wenn diese Bauelemente mit den im Human-Body-Modell (HBM) festgelegten elektrostatischen Entladungen (ESD) beansprucht werden. Das HBM- und das MM-Prüfverfahren nach DIN EN 60749-27 führen zu ähnlichen, aber nicht identischen Prüfergebnissen; sofern nicht anders festgelegt, ist das HBM-Prüfverfahren anzuwenden. Diese Neuausgabe ersetzt DIN EN 60749-26 (VDE 0884-749-26):2014-09 und enthält die folgenden wichtigen fachlichen Änderungen: a) ein neuer Abschnitt zur HBM-Beanspruchung mit einem Simulator mit geringen parasitären Elementen wurde hinzugefügt, zusammen mit einer Prüfung zur Bestimmung, ob es sich um einen Simulator mit geringen parasitären Elementen handelt; b) ein neuer Abschnitt zu geklonten Nichtversorgungsanschlüssen und ein neuer Anhang über die Prüfung von geklonten Nichtversorgungsanschlüssen wurden hinzugefügt. Zuständig ist das DKE/K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE.

Ersatzvermerk
Änderungsvermerk

Gegenüber DIN EN 60749-26 (VDE 0884-749-26):2014-09 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) Neue Festlegungen zur HBM-Beanspruchung mit einem Simulator mit geringen parasitären Elementen wurden hinzugefügt; b) eine Prüfung zur Bestimmung, ob es sich um einen Simulator mit geringen parasitären Elementen handelt wurde ergänzt; c) Festlegungen zu geklonten Nichtversorgungsanschlüssen wurden ergänzt; d) ein Anhang über die Prüfung von geklonten Nichtversorgungsanschlüssen wurde hinzugefügt; e) die Norm wurde vollständige redaktionell überarbeitet.

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