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Norm 2003-10-01

OEVE/OENORM EN 60749-17:2003-10-01

Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 17: Neutronenbestrahlung (IEC 60749-17:2003)

Englischer Titel
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 17: Neutron irradiation (IEC 60749-17:2003)
Ausgabedatum
2003-10-01
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Originalsprachen
Deutsch

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Kurzreferat
Das Prüfverfahren mit Neutronenbestrahlung wird angewandt, um die Empfindlichkeit von Halbleiterbauelementen bezüglich Degradationen in Neutronenumgebungen zu ermitteln. Die in dieser Norm festgelegten Prüfbeanspruchungen sind sowohl auf integrierte Schaltungen als auch auf Einzelhalbleiterbauelemente anwendbar. Dieses Prüfverfahren ist für Militär- und Raumfahrtanwendungen bestimmt. Das Prüfverfahren ist zerstörend. Der Zweck dieses Prüfverfahrens ist Ermittlung und Messung der Degradation der kritischen Kenngrößen von Halbleiterbauelementen als Funktion des Neutronenflusses; und weiters um zu bestimmen, ob ausgewählte Kenngrößen innerhalb der festgelegten Grenzwerte sind, nachdem die Halbleiterbauelemente durch einen festgelegten Neutronenfluss beansprucht wurden.
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