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Norm 2004-01-01

OEVE/OENORM EN 60749-36:2004-01-01

Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 36: Gleichmäßiges Beschleunigen (IEC 60749-36:2003)

Englischer Titel
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 36: Acceleration, steady state (IEC 60749-36:2003)
Ausgabedatum
2004-01-01
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Deutsch

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Kurzreferat
In diesem Teil der IEC 60749 ist ein Prüfverfahren beschrieben, um die Wirkungen gleichförmiger Beschleunigung auf Halbleiterbauelemente in Hohlraumgehäusen zu bestimmen. Es ist ein beschleunigendes Prüfverfahren, das entwickelt wurde, um die Arten konstruktiver und mechanischer Schwachstellen zu ermitteln, welche nicht notwendigerweise bei Schock- oder Schwingungsbeanspruchungen entdeckt werden. Es darf als ein hochbeanspruchendes (zerstörendes) Prüfverfahren angewandt werden, um die mechanischen Grenzwerte des Gehäuses, des inneren Metallisierungs- und Anschlussleitungssystems, der Chip- oder Substratbondung sowie anderer konstruktiver Elemente mikroelektronischer Bauelemente zu ermitteln. Falls geeignete Beanspruchungsbedingungen (Schärfegrade) festgelegt werden, darf diese Beanspruchungsmethode auch für ein nicht zerstörendes 100 %-Inline-Screening verwendet werden, um jene Bauelemente zu ermitteln und auszusondern, welche, anders als im Normalfall, niedrigere mechanische Festigkeiten in irgendwelchen konstruktiven Elementen haben. Dieses Prüfverfahren mit gleichförmiger Beschleunigung entspricht im Allgemeinen IEC 60068-2-7, allerdings sind, bedingt durch die besonderen Anforderungen an Halbleiterbauelemente, die vorliegenden folgenden Festlegungen anzuwenden.
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