Test Method for Separating a Total-Dose-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Technique
German title
Prüfverfahren zur Aufteilung einer durch Oxidhaftlöcher und Schnittstellenzustände bedingten gesamtdosisinduzierten MOSFET-Schwellenspannungsverschiebung in Komponenten mit Hilfe der Teilschwellenwerttechnik
Publication date
1991
Original language
English
Pages
6
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1991
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6
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