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Norm-Entwurf [ZURÜCKGEZOGEN]

DIN EN IEC 61215-1-1:2019-06 - Entwurf

VDE 0126-31-1-1:2019-06

Terrestrische Photovoltaik(PV)-Module - Bauarteignung und Bauartzulassung - Teil 1-1: Besondere Anforderungen an die Prüfung von kristallinen Silizium-Photovoltaik(PV)-Modulen (IEC 82/1454/CD:2018); Text Deutsch und Englisch

Englischer Titel
Terrestrial photovoltaic (PV) modules - Design qualification and type approval - Part 1-1: Special requirements for testing of crystalline silicon photovoltaic (PV) modules (IEC 82/1454/CD:2018); Text in German and English
Erscheinungsdatum
2019-05-10
Ausgabedatum
2019-06
Originalsprachen
Deutsch, Englisch
Seiten
18

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Einführungsbeitrag

Dieser Teil von IEC 61215 legt die IEC-Anforderungen für die Bauarteignung und Bauartzulassung terrestrischer Photovoltaikmodule fest, die für den Langzeitbetrieb in allgemeinen Freiluftklimaten geeignet sind. Diese Norm ist für die Anwendung auf alle terrestrischen kristallinen Silizium-Flachmodule bestimmt. Der Zweck dieser Prüffolgen ist die Bestimmung der elektrischen und temperaturbezogenen Kenngrößen des PV-Moduls sowie der Nachweis, im Rahmen eines vertretbaren Kosten- und Zeitaufwandes, dass das Modul geeignet ist, längere Zeit den im Anwendungsbereich beschriebenen Klimaten standzuhalten. Diese Norm legt die von der PV-Technologie abhängigen Änderungen der Prüfverfahren und Anforderungen nach IEC 61215-1 und IEC 61215-2 fest. Zuständig ist das DKE/K 373 "Photovoltaische Solarenergie-Systeme" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE.

Ersatzvermerk
Änderungsvermerk

Gegenüber DIN EN 61215-1-1 (VDE 0126-31-1-1):2018-06 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) Eine zyklische (dynamische) mechanische Belastungsprüfung (MQT 20); b) eine Prüfung zum Erkennen spannungsinduzierter (potentialinduzierter) Degradation (MQT 21); c) eine Biegeprüfung (MQT 22) für flexible Module; d) ein Prüfverfahren zum Erkennen von durch Licht und erhöhte Temperaturen verursachte Degradation (LeTID; en: light and elevated temperature induced degradation) in kristallinen Silizium-Modulen.

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