Wir sind telefonisch für Sie erreichbar!

Montag bis Donnerstag von 08:00 bis 16:00 Uhr

Freitag von 08:00 bis 15:00 Uhr

Kundenservice National
Telefon +49 30 2601-1331
Fax +49 30 2601-1260

Norm 2017-04

DIN EN 60749-44:2017-04

Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 44: Prüfverfahren zur Einzelereignis-Effekt-Neutronenbestrahlung von Halbleiterbauelementen (IEC 60749-44:2016); Deutsche Fassung EN 60749-44:2016

Englischer Titel
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 44: Neutron beam irradiated single event effect (SEE) test method for semiconductor devices (IEC 60749-44:2016); German version EN 60749-44:2016
Ausgabedatum
2017-04
Originalsprachen
Deutsch

Bitte Treffen Sie Ihre Auswahl

ab 94,50 EUR inkl. MwSt.

ab 88,32 EUR exkl. MwSt.

Kaufoptionen

PDF-Download
  • 94,50 EUR

Versand (3-5 Werktage)
  • 114,20 EUR

Abo 1
1

Jetzt 1 Jahr gratis testen: Abonnements-Lösungen für Normen

Ausgabedatum
2017-04
Originalsprachen
Deutsch
DOI
https://dx.doi.org/10.31030/2605267

Schnelle Zustellung per Download oder Versand

Jederzeit verschlüsselte Datenübertragung

Einführungsbeitrag

Die Normenreihe DIN EN 60749 enthält unterschiedliche mechanische und klimatische Prüfverfahren, die speziell auf die Anwendung bei Halbleiterbaulementen optimiert sind und deren feinste Strukturen sowie die Besonderheiten in der Herstellung dieser Bauelemente berücksichtigen. Die Strukturen integrierter Schaltungen und Speicherbauelemente sind heute derart fein, dass Strahlungen, wie sie gerade bei Anwendungen in Flugzeugen oder im Weltraum ständig auftreten können, zu deren Schädigung oder Fehlfunktionen führen können. Daher sind gerade bei diesen hochsensitiven Anwendungen die Bauelemente auf ihre Ausfallsicherheit zu prüfen und dementsprechend Vorkehrungen oder Abschirmungen für deren Einsatz vorzusehen. In diesem Teil der DIN EN 60749 ist ein Verfahren zur Messung von Einzelereignis-Effekten (SEE; en: single event effect) bei integrierten Halbleiterbauelementen hoher Schaltungsdichten einschließlich der Fähigkeit des Datenerhalts (Data-Retention) von Halbleiterbauelementen mit Speicherelementen festgelegt, wenn diese Bauelemente mit terrestrischer kosmischer Strahlung beansprucht werden. Die SEE-Empfindlichkeit wird gemessen, während das Bauelement mit einem Neutronenstrahl bekannten Flusses bestrahlt wird. Dieses Prüfverfahren kann für alle Bauarten von integrierten Schaltungen angewendet werden. Kombinierte Beanspruchungen, wie sie bei Halbleiterbauelementen unter Hochspannungsbeanspruchung vorkommen können, wie etwa ein Gate-Durchbruch (SEGR, single event gate rupture) oder thermische Überlastungen (SEB, single event burn-out), die durch Strahlungsbeanspruchungen beschleunigt werden, gehören nicht zum Anwendungsbereich dieses Dokuments. Zuständig ist das DKE/K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik in DIN und VDE.

DOI
https://dx.doi.org/10.31030/2605267

Normen mitgestalten

Ihr Ansprechpartner

Lade Empfehlungen...
Lade Empfehlungen...