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Norm 2012-03

DIN EN 62047-9:2012-03

Halbleiterbauelemente - Bauelemente der Mikrosystemtechnik - Teil 9: Prüfverfahren zur Festigkeit von Full-Wafer-Bondverbindungen in der Mikrosystemtechnik (MEMS) (IEC 62047-9:2011); Deutsche Fassung EN 62047-9:2011

Englischer Titel
Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 9: Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS (IEC 62047-9:2011); German version EN 62047-9:2011
Ausgabedatum
2012-03
Originalsprachen
Deutsch

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Ausgabedatum
2012-03
Originalsprachen
Deutsch
DOI
https://dx.doi.org/10.31030/1860349

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Einführungsbeitrag

Die Basiswerkstoffe für Bauteile der Mikrosystemtechnik, Mikromaschinen und so weiter haben besondere Eigenschaften, wie zum Beispiel die üblichen Abmessungen von einigen wenigen Mikrometern, die Werkstoffherstellung durch Dampfabscheidung und die Herstellung von Mikroproben mittels nicht-mechanischer Verarbeitungsverfahren einschließlich der Fotolithografie. Um die Bondfestigkeit zu prüfen, gibt es unterschiedliche Möglichkeiten, wie zum Beispiel Sichtprüfung, Zug-Prüfverfahren, DCB-Prüfverfahren (DCB; en: double cantilever beam), elektrostatisches Prüfverfahren, Blister-Prüfverfahren (Druck-Prüfverfahren), 3-Punkt-Biege-Prüfverfahren und (Span-)Abscherfestigkeits-Prüfverfahren. Diese verschiedenen Möglichkeiten werden in der vorliegenden Norm für die Anwendung bei mikromechanischen Bauelementen beschrieben. Somit kann die Bondfestigkeit von Full-Wafer-Bondverbindungen, Bondprozesstypen wie Silizium-Fusions-Bonden (Fusionsbonden), anodisches Silizium-Glas-Bonden (anodisches Bonden) und so weiter, einheitlich geprüft werden. Anwendbare Strukturgrößen während des MEMS-Fertigungsprozesses beziehungsweise der Assemblierung sind für die Verfahren festgelegt. Die anwendbare Waferdicke liegt im Bereich von 10 µm bis einigen Millimetern. Zuständig ist das K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.

DOI
https://dx.doi.org/10.31030/1860349

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