Liebe Kundinnen, liebe Kunden,
es ist soweit:
Aus dem Beuth Verlag ist DIN Media geworden.
Mehr über unsere Umbenennung und die (Hinter)Gründe erfahren Sie hier.
Um unsere neue Website problemlos nutzen zu können, würden wir Sie bitten, Ihren Browser-Cache zu leeren.
Herzliche Grüße
DIN Media
Montag bis Freitag von 08:00 bis 15:00 Uhr
Norm [AKTUELL]
Produktinformationen auf dieser Seite:
Schnelle Zustellung per Download oder Versand
Jederzeit verschlüsselte Datenübertragung
In diesem Dokument ist ein Prüfverfahren festgelegt, um den Betrag positiver mobiler Ionen in Oxidschichten von Metall-Oxid-Halbleiter-Feld-Effekt-Transistoren auf Waferniveau zu bestimmen. Das Prüfverfahren ist sowohl auf aktive als auch auf parasitäre Feld-Effekt-Transistoren anwendbar. Die mobile Ladung kann Degradationen des mikroelektronischen Bauelementes verursachen, wie eine Schwellspannungsdrift des MOSFET oder eine Basisinversion in Bipolartransistoren. Die Prüfbeanspruchung auf die Teststrukturen wird bei erhöhter Temperatur ausgeübt, sodass sowohl mobile Ionen die Energiebarriere an den Grenzflächen überwinden können als auch die Ionenbeweglichkeit im Oxid ausreichend hoch ist. In diesem Dokument sind zwei Prüfverfahren festgelegt: - Spannungs-Temperatur-Beanspruchung (BTS; en: bias temperature stress), die mit Transistoren durchgeführt wird; - Spannungs-Durchlauf (VS; en: voltage sweep), die mit Kapazitätsstrukturen durchgeführt wird. Zuständig ist das K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.