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Norm 2004-05-01

OEVE/OENORM EN 60749-25:2004-05-01

Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 25: Zyklische Temperaturwechsel (IEC 60749-25:2003)

Englischer Titel
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 25: Temperature cycling (IEC 60749-25:2003)
Ausgabedatum
2004-05-01
Originalsprachen
Deutsch

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Kurzreferat
In diesem Teil der OEVE/OENORM EN 60749 ist ein Prüfverfahren festgelegt, um bei Halbleiterbauelementen sowie anderen Bauelementen und/oder bestückten Leiterkarten die Beständigkeit gegenüber mechanischen Beanspruchungen, welche durch das Wechseln zwischen hohen und niedrigen Temperaturen entstehen, zu bestimmen. Durch diese mechanischen Beanspruchungen können bleibende Änderungen bei elektrischen und/oder physikalischen Kenngrößen entstehen. Dieses Prüfverfahren entspricht im Allgemeinen OEVE/OENORM EN 60068-2-14; allerdings sind, bedingt durch die besonderen Anforderungen an Halbleiterbauelemente, die Abschnitte der vorliegenden Norm anzuwenden. Dieses Prüfverfahren ist bei der Ein-, Zwei- und Dreikammer-Temperaturwechselmethode anwendbar und gilt für das Prüfen sowohl von Bauelementen als auch von Lötverbindungen. Bei der Einkammer-Wechselmethode wird die Gesamtprüflast in eine stationäre Prüfkammer eingebracht und anschließend sowohl erwärmt als auch abgekühlt, indem erwärmte Luft, Umgebungsluft oder abgekühlte Luft in die Kammer eingeleitet (eingeblasen) wird. Bei der Zweikammer-Wechselmethode wird die Gesamtprüflast auf einem beweglichen Schlitten befestigt, welcher zwischen den stationären Kammern hin- und hergefahren wird, dabei werden die Kammern auf festen Temperaturwerten gehalten. Bei der Dreikammer-Wechselmethode wird die Gesamtprüflast zwischen den drei Kammern hin- und hergefahren.
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