DIN V VDE V 0126-18-2-1:2007-06

In den vorgenannten Teilen der Reihe DIN V VDE V 0126 (VDE V 0126) sind Verfahren für kristalline Siliciumscheiben beschrieben.
Teil 18-2-1 (Vornorm):
Festgelegt ist ein Verfahren, um die Dicke von kristallinen Siliciumscheiben zu bestimmen, wobei sowohl berührungsfreie als auch berührend arbeitende Dickenmessgeräte verwendet werden können.
Teil 18-2-2 (Vornorm):
Diese Vornorm legt das Verfahren fest, wie die Dickenvariation (TTVPV) von kristallinen Siliciumscheiben zu bestimmen ist, wobei sowohl berührungsfreie als auch berührend arbeitende Dickenmessgräte verwendet werden können.
Teil 18-2-3 (Vornorm):
In der Vornorm ist ein Verfahren beschrieben, um die Werte für die Welligkeit und die Durchbiegung von kristallinen Siliciumscheiben bestimmen zu können.
Teil 18-2-4 (Vornorm):
Diese Vornorm legt das Verfahren zur Messung der Tiefe von Stufen und Rillen an kristallinen Siliciumscheiben für die Photovoltaik fest. Die Stufen und Rillen werden durch das Sägen verursacht (daher auch als Sägeriefen bezeichnet) und treten als Linien über der Scheibenoberfläche auf.
Teil 3 (Vornorm):
Festgelegt ist, wie der Ätzabtrag an kristallinen Siliciumscheiben für die Photovoltaik im Zustand "as cut" zu bestimmen ist. Mit diesem Ätzverfahren wird der auf der Scheibenoberfläche im Drahttrenn-Läpp-Prozess erzeugte Damagebereich chemisch weitestgehend entfernt.
Teil 4-1 (Vornorm):
Diese Vornorm legt fest, wie die effektive Lebensdauer von optisch erzeugten Überschussladungsträgern als effektive Minoritätsladungsträgerlebensdauer von kristallinen Siliciumscheiben zu ermitteln ist. Die Methode wird für Messungen in der Fertigungslinie (Inline) empfohlen.
Teil 4-2 (Vornorm):
In der Vornorm ist eine Messmethode festgelegt, die zur Ermittlung der Minoritätsladungsträgerlebensdauer von kristallinen Siliciumscheiben im passivierten Zustand führt. Die Methode wird für Labormessungen empfohlen. Die Passivierung der Scheiben dient dazu, eine (effektive) Minoritätsladungsträgerlebensdauer zu messen, die möglichst nahe dem Wert der Minoritätsladungsträgerlebensdauer im Volumen ist.
Teil 5 (Vornorm):
Diese Vornorm legt fest, wie der elektrische Widerstand von multi- und monokristallinen Siliciumscheiben im Zustand "as cut" (ohne gestaltverändernde chemische, physikalische oder mechanische Bearbeitung der Oberfläche nach dem Herstellungsprozess) zu bestimmen ist, wobei sowohl berührungsfreie als auch berührend arbeitende Widerstandsmessgeräte verwendet werden.
Teil 6 (Vornorm):
Festgelegt ist, wie der Verunreinigungsgehalt an interstitiell gelöstem Sauerstoff (O_i) und an als Substitutionsatome eingelagertem Kohlenstoff (C_s) in monokristallinem und multikristallinem Silicium für Solarscheiben erhalten werden kann.
Für die Vornormen ist das K 373 "Photovoltaische Solarenergie-Systeme" der DKE zuständig. Sie wurden vom AK 373.0.10 "Solarzellen, Wafer und Module" erarbeitet.