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Norm [AKTUELL]

DIN 50455-1:2009-10

Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie - Verfahren zur Charakterisierung von Fotolacken - Teil 1: Bestimmung der Schichtdicke mit optischen Messverfahren

Englischer Titel
Testing of materials for semiconductor technology - Methods for characterizing photoresists - Part 1: Determination of coating thickness with optical methods
Ausgabedatum
2009-10
Originalsprachen
Deutsch
Seiten
8

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Ausgabedatum
2009-10
Originalsprachen
Deutsch
Seiten
8
DOI
https://dx.doi.org/10.31030/1534909

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Einführungsbeitrag

Diese Norm legt Verfahren zur Charakterisierung von Fotolacken mittels Bestimmung der Dicke von Fotolack-Schichten fest, die unter festgelegten Bedingungen hergestellt werden. Das Verfahren der Schichterzeugung gilt für Siliciumscheiben von 100 mm bis 200 mm Durchmesser. Die Anwendung auf andere Substrate oder Scheibendurchmesser ist nach vorheriger Prüfung im Einzelfall prinzipiell möglich.
Die Norm wurde vom Arbeitsausschuss NA 062-02-21 AA "Prüfung von Prozesschemikalien für die Halbleitertechnologie" im NMP erstellt.

Inhaltsverzeichnis
ICS
29.045
DOI
https://dx.doi.org/10.31030/1534909
Ersatzvermerk

Dieses Dokument ersetzt DIN 50455-1:1991-06 .

Änderungsvermerk

Gegenüber DIN 50455-1:1991-06 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) Titel leicht geändert; b) normative Verweisung aktualisiert; c) Wert für die Mindestauflösung des optischen Schichtdickenmessgerätes von 1 nm auf 0,4 nm reduziert; d) Abschnitt Geräte und Materialien ergänzt; e) Messstellenplan (Bild 1) berichtigt und dementsprechend Mindestanzahl der Einzelmesswerte von 27 auf 24 reduziert; f) Kriterium für Wiederholungsprüfung (siehe Abschnitt Auswertung) geändert; g) Inhalt redaktionell überarbeitet.

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