Wir sind telefonisch für Sie erreichbar!

Montag bis Donnerstag von 08:00 bis 17:00 Uhr

Freitag von 08:00 bis 16:00 Uhr

Kundenservice National
Telefon +49 30 2601-1331
Fax +49 30 2601-1260

Norm [ZURÜCKGEZOGEN] 2014-09

DIN EN 60749-26:2014-09;VDE 0884-749-26:2014-09

VDE 0884-749-26:2014-09

Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegen elektrostatische Entladungen (ESD) - Human Body Model (HBM) (IEC 60749-26:2013); Deutsche Fassung EN 60749-26:2014

Englischer Titel
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 26: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Human body model (HBM) (IEC 60749-26:2013); German version EN 60749-26:2014
Ausgabedatum
2014-09
Barrierefreiheit
Originalsprachen
Deutsch

Bitte Treffen Sie Ihre Auswahl

ab 87,18 EUR inkl. MwSt.

ab 81,48 EUR exkl. MwSt.

Kaufoptionen

Versand (3-5 Werktage) 1
  • 87,18 EUR

1

 Achtung: Dokument zurückgezogen!

Ausgabedatum
2014-09
Barrierefreiheit
Originalsprachen
Deutsch

Schnelle Zustellung per Download oder Versand

Jederzeit verschlüsselte Datenübertragung

Einführungsbeitrag

In diesem Dokument wird das Verfahren für die Prüfung, Bewertung und Klassifizierung von Bauelementen und Mikroschaltungen nach ihrer Störanfälligkeit (Empfindlichkeit) gegen Beschädigung oder Funktionsbeeinträchtigung festgelegt, wenn diese Bauelemente mit den im Human-Body-Modell (HBM) festgelegten elektrostatischen Entladungen (ESD) beansprucht werden. Der Zweck dieses Dokuments ist die Festlegung eines Prüfverfahrens, mit dem wiederholbare HBM-Ausfälle erzeugt werden und welches ungeachtet des Bauelementetyps zuverlässige und wiederholbare HBM-ESD-Prüfergebnisse von Prüfeinrichtung zu Prüfeinrichtung liefert. Die Wiederholbarkeit der Daten lässt präzise Klassifizierungen und Vergleiche der HBM-ESD-Empfindlichkeitspegel zu. Die ESD-Prüfung von Halbleiterbauelementen erfolgt nach diesem Prüfverfahren, dem Prüfverfahren des Machine-Models (MM) (siehe DIN EN 60749-27) und anderen ESD-Prüfverfahren der Normenreihe DIN EN 60749. Das HBM- und das MM-Prüfverfahren führen zu ähnlichen, aber nicht identischen Prüfergebnissen; sofern nicht anders angegeben, ist das HBM-Prüfverfahren anzuwenden. Dieses Dokument wurde vom TC 47 "Semiconductor devices" der Internationalen Elektrotechnischen Kommission (IEC) erarbeitet und als Europäische Norm angenommen. Es ist als Ersatz für DIN EN 60749-26:2007-01 vorgesehen. Es enthält die folgenden wichtigen fachlichen Änderungen gegenüber DIN EN 60749-26:2007-01: a) die Beschreibungen von Oszilloskop und Strommessumformern sind überarbeitet und aktualisiert worden; b) das Blockschaltbild und Beschreibung der HBM-Schaltung sind verbessert worden; c) die Beschreibung der Anerkennung und Überprüfung der Beanspruchungsprüfeinrichtung wurde vollständig neu gefasst; d) die Anerkennung und Überprüfung der Prüfleiterplatten ist überarbeitet worden; e) ein neuer Abschnitt über die Bestimmung des Nachschwingens in der Stromwellenform wurde aufgenommen; f) einige alternative Anschlusskombinationen sind ergänzt worden; g) Zulassen der Beanspruchung von Nichtversorgungsanschlüssen gegen eine begrenzte Anzahl von Versorgungsanschlussgruppen (verknüpfte Nichtversorgungsanschlüsse) und Zulassen der Beanspruchung von Nichtversorgungsanschlüssen gegen Nichtversorgungsanschlüsse (das heißt E/A gegen E/A) mit der begrenzten Anzahl von zwei Anschlusspaaren (zusammengeschaltete Nichtversorgungsanschlusspaare); h) ausdrückliches Zulassen der HBM-Beanspruchung mit Anschlusspaar-HBM-Prüfeinrichtungen für Versorgungsanschlussgruppen, die ausschließlich auf dem Chip kurzgeschlossen sind. Zuständig ist das DKE/K 631 "Halbleiterbauelemente" der DKE Deutsche Kommission Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik im DIN und VDE.

Änderungsvermerk

Diese Norm ersetzt DIN EN 60749-26:2007-01 .

Dokument wurde ersetzt durch: DIN EN IEC 60749-26:2018-10;VDE 0884-749-26 .

Folgende Änderungen wurden vorgenommen:

Gegenüber DIN EN 60749-26:2007-01 wurden folgende Änderungen vorgenommen: a) die Beschreibungen von Oszilloskop und Strommessumformern sind überarbeitet und aktualisiert worden; b) das Blockschaltbild und Beschreibung der HBM-Schaltung sind verbessert worden; c) die Beschreibung der Anerkennung und Überprüfung der Beanspruchungsprüfeinrichtung wurde vollständig neu verfasst; d) die Anerkennung und Überprüfung der Prüfleiterplatten ist überarbeitet worden; e) ein neuer Abschnitt über die Bestimmung des Nachschwingens in der Stromwellenform wurde aufgenommen; f) einige alternative Anschlusskombinationen sind ergänzt worden; g) Zulassen der Beanspruchung von Nichtversorgungsanschlüssen gegen eine begrenzte Anzahl von Versorgungsanschlussgruppen (verknüpfte Nichtversorgungsanschlüsse) und Zulassen der Beanspruchung von Nichtversorgungsanschlüssen gegen Nichtversorgungsanschlüsse (d. h. E/A gegen E/A) mit der begrenzten Anzahl von zwei Anschlusspaaren (zusammengeschaltete Nichtversorgungsanschlusspaare); h) ausdrückliches Zulassen der HBM-Beanspruchung mit Anschlusspaar-HBM-Prüfeinrichtungen für Versorgungsanschlussgruppen, die ausschließlich auf dem Chip kurzgeschlossen sind.

Normen mitgestalten

Ihr Ansprechpartner

Lade Empfehlungen...
Lade Empfehlungen...